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PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORMAS DE SiO2:GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD)

Document type:Patente
Inventor(s): Carlos Kenichi Suzuki; Raul Fernando Cuevas Rojas
Applicant: Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) ; Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Deposit date: November 2004, 16
INPI register:
PI0404965-9 - INPI Search
IPC: C03B 37/018 C23C 16/40 C23C 16/453 C23C 16/52

Grantee:Raul Fernando Cuevas Rojas
Principal researcher:Carlos Kenichi Suzuki
Institution: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM)
Support type: Scholarships in Brazil - Post-Doctorate

Grantee:Raul Fernando Cuevas Rojas
Principal researcher:Raul Fernando Cuevas Rojas
Institution: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM)
Support type: Research Grants - Support for Intellectual Property Rights and Licensing (PAPI/Nuplitec)