- Auxílios pontuais (curta duração)
Esta página da Biblioteca Virtual da FAPESP reúne informações referenciais de bolsas e auxílios de diversas modalidades de pesquisa apoiada pela FAPESP, que possuem o assunto Nanofios.
A caixa de “Apoio FAPESP em Números” permite a visualização da totalidade de auxílios e bolsas concedidos, em andamento ou concluídos, com o assunto Nanofios.
No centro da página, podem-se ver algumas informações desses projetos apoiados, no Brasil e no exterior.
Na lista de “Assuntos relacionados” podem-se ver quais outros assuntos foram mais citados em pesquisas apoiadas com o assunto Nanofios.
Em “Refinar por” é possível filtrar o total das pesquisas com o assunto Nanofios, de acordo com os seguintes parâmetros: por modalidades de Auxílios à pesquisa, por modalidades de Bolsas, por Área do conhecimento, por Instituição e por Ano de início, e gerar resultados mais específicos.
Os Mapas e Gráficos contribuem visualmente para a identificação da distribuição geográfica do fomento da FAPESP no Estado de São Paulo, e do histórico do fomento, por ano, das pesquisas vigentes com o assunto Nanofios.
A área de nanofotônica estuda a interação de luz com a matéria em nanoestruturas como guias de onda e cavidades ópticas. Esta área apresenta grandes oportunidades para entendimento fundamental dos processos de interação e também oportunidades para desenvolvimento de dispositivos práticos para aplicações como comunicações ópticas e sensoriamento. Um dos mecanismos mais importantes é a i...
Nesta proposta construiremos uma colaboração completamente nova entre dois grupos de supercondutividade no Brasil e no Reino Unido (RU). O grupo do Prof. Hampshire em Durhan é um dos líderes mundiais que trabalham com propriedades supercondutoras em altos campos magnéticos. No grupo há equipamentos para medidas de até 15 T e tem acesso a equipamentos de altos campos (até 35 T) em Greno...
Esse projeto visa nuclear um grupo de pesquisa em espectroscopia ótica de emissores de luz individuais estudada com alta resolução espacial e espectral por Microscopia de Varredura de Tunelamento (STM) associada a um sistema óptico de alto desempenho. Nesse sistema, sinais de luminescência local gerados pela corrente de efeito túnel do STM serão utilizados para o estudo de nanoestrutur...
A ideia da eletrônica impressa tem se expandido para a indústria têxtil lançando as bases dos denominados tecidos inteligentes. Tecidos inteligentes referem-se a um amplo campo de estudos e produtos que estendem a funcionalidade e usabilidade dos tecidos comuns. A convergência entre os tecidos inteligentes e a eletrônica dá origem ao termo "eletrônica têxtil" ou e-têxtil. De acordo com...
Alterações na dimensionalidade de elementos fotovoltaicos é uma forma possível de aumento na eficiência dos dispositivos pela sintonia dos gaps de energia em valores que sejam próximos ou iguais ao ideal para se obter o máximo de eficiência. O objetivo geral desta proposta é a fabricação de nanofios a partir de materiais com potencial fotovoltaico reconhecido, sua caracterização opto-e...
Novas tecnologias que mimetizam a fotossíntese, uma reação complexa que ocorre em organismos vivos, são vitais na sociedade atual ao passo que elas trazem como possibilidade a conversão do dióxido de carbono em moléculas de valor para fins energéticos, como o metano e o etileno. O desenvolvimento de novas metodologias de controle e desenho racional de materiais que possam ser utilizado...
Os principais objetivos deste projeto são o crescimento e o estudo de uma classe especial de nanofios de Heusler (Co2FeY (Y = Al, Ga, Sn)), fabricados usando a nova técnica chamada nanonucleação de fluxo metálico (MFNN). Entre os materiais mais interessantes do ponto de vista magnético, os compostos de Heusler apresentam propriedades únicas (polarização da corrente de spin para spintrô...
A presente proposta tem como objetivo a produção e caracterização de nanofios semicondutores monocristalinos no sistema Zn3P2. Este material apresenta potencial aplicação em dispositivos opto-eletrônicos e que podem ser obtidos por rotas alternativas como o crescimento pelo mecanismo vapor-liquido-sólido catalisado nanopartículas metálicas. Visando aperfeiçoar os processos de crescimen...
A ideia da eletrônica impressa tem se expandido para a indústria têxtil lançando as bases dos denominados tecidos inteligentes. Tecidos inteligentes referem-se a um amplo campo de estudos e produtos que estendem a funcionalidade e usabilidade dos tecidos comuns. A convergência entre os tecidos inteligentes e a eletrônica dá origem ao termo "eletrônica têxtil" ou e-têxtil. De acordo com...
Esta proposta tem como finalidade a produção e caracterização de dispositivos eletrônicos baseados em nanofios/nanofitas construídos a partir do SnO2 dopado com antimônio. Pretende-se sintetizar nanofitas intrínsecas e dopadas com antimônio, um material particularmente interessante na construção de óxidos transparentes condutores. Através da construção de dispositivos com estes materia...
O objetivo do atual projeto é dar continuidade as atividades de pesquisa já iniciadas no mestrado aqui na UFABC. Síntese e estudo das propriedades físicas de micro/nanoestruturas hierárquicas de óxido de metal de transição. Várias famílias de óxidos de metais são de interesse: Zn, Ti, Fe, Sn, Pb, Cu e Ni. Neste contexto, o objetivo é obter um melhor entendimento da cinética de formação...
Neste projeto, os nanofios de telúrio metálicos serão usados inicialmente como sistema de moldes para sintetizar as réplicas de sílica híbrida tubular (SHT) correspondentes com base em silsesquioxanos em ponte visando a obtenção de materiais funcionais e com controle de forma para aplicações ópticas e de despoluição. (AU)
A síntese e desenvolvimento de dispositivos a partir de materiais unidimensionais 1D têm permitido observar uma série de novos fenômenos físicos e criar novas aplicações tecnológicas, além de fornecer subsídios para o entendimento e explicação destes fenômenos. Neste projeto propõe-se estudar materiais nanoestruturados baseados em nanofios de óxidos de estanho (SnO2) puros e dopados co...
Para continuar diminuindo os dispositivos, novas tecnologias têm sido estudadas como alternativas para o CMOS convencional. Um destes dispositivos que podem superar as limitações dos transistores MOSFET é o transistor de tunelamento induzido por campo elétrico (TFET) que pode ter uma corrente de estado desligado muito baixa e uma inclinação de sublimiar menor que 60 mV/dec em temperatu...
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