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Dispositivos híbridos impressos aplicados como fotodetectores de UV e sensores de gás

Processo: 19/01671-2
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de maio de 2019 - 30 de abril de 2021
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
Pesquisador responsável:Neri Alves
Beneficiário:Neri Alves
Instituição-sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
Assunto(s):Eletrônica orgânica  Transistores de efeito de campo  Óxido de zinco 

Resumo

Filmes de ZnO obtidos pela pirólise do acetato dihidratado de zinco, pulverizado sobre os substratos aquecidos, são naturalmente dopados (tipo n) devido a existência de defeitos como vacâncias de oxigênio, zinco intersticial e outros. Como a largura de banda proibida do ZnO é de 3,3eV, fótons de radiação ultravioleta (RUV) geram pares elétrons buracos aumentando o número de elétrons na banda de condução. Os elétrons fotogerados podem interagir com o oxigênio adsorvido, junto aos defeitos, liberando-o para a atmosfera, numa reação reversível [O_(2(g))+e^-ÌO_(2(ad))^-]. Assim, dispositivos à base de ZnO exposto à atmosfera ou à RUV tem sua condutividade alterada o que pode ser indesejável do ponto de vista de estabilidade, mas permite aplica-los como sensor. A exposição moderada à RU é vantajosa para a saúde, mas a exposição excessiva pode causar várias doenças, entre elas o câncer de pele. Ressalta-se que o Brasil é um dos países de maior incidência do câncer de pele, o qual corresponde a quase um terço do total dos tumores malignos, e 90% deles são atribuídos à exposição excessiva à RUV. Um sensor barato, impresso em cartões ou em adornos pessoais, pode ser um aliado importante para evitar os efeitos danosos da RUV e maximizar os efeitos benéficos. Neste contexto, o objetivo geral deste projeto é o desenvolvimento e a caracterização de um fotodetector de RUV e um sensor de gás impresso à base de ZnO como material ativo, preparados pela técnica de spray pirolise. Para o desenvolvimento dos sensores será estudado o desempenho e a estabilidade de dispositivos em que o ZnO seja o elemento ativo, tais como, fotoresistor, diodo Schoktty, diodo p-n, transistor e capacitor MIS (metal-isolante-semicondutor). (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, n. 159 MAY 2020. Citações Web of Science: 0.

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