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Testes de stress elétrico de transistores de ZnO e IGZO baseados em um novo procedimento de ensaio

Processo: 19/05620-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Vigência: 11 de setembro de 2019 - 26 de setembro de 2019
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: CONFAP ; Newton Fund, com FAPESP como instituição parceira no Brasil ; UK Academies
Pesquisador responsável:Lucas Fugikawa Santos
Beneficiário:Lucas Fugikawa Santos
Pesquisador visitante: Jeff Kettle
Inst. do pesquisador visitante: Bangor University, País de Gales
Instituição-sede: Instituto de Geociências e Ciências Exatas (IGCE). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Rio Claro. Rio Claro , SP, Brasil
Assunto(s):Técnicas de caracterização elétrica   Pulverização catódica  Óxidos metálicos 

Resumo

Esta proposta procura abordar a necessidade de transistores de óxido de metal de alto desempenho estáveis por períodos prolongados de polarização. O foco do projeto será o desenvolvimento de novos procedimentos de teste para caracterizar e medir a estabilidade de dispositivos funcionais,quantificando as implicações do processo de fabricação nas propriedades e na estabilidade dos dispositivos. Além disso, em paralelo ao estudo da estabilidade de TFTs de óxidos metálicos processados em solução, também testaremos TFTs de óxidos metálicos usando deposição por sputtering. Ao usar sputtering, estaremos estudando a estabilidade de dispositivos já amplamente estudados em escala industrial, tornando nossa pesquisa de relevância imediata. No entanto, ao estudar simultaneamente as estabilidades dos dispositivos processados por spray, também estaremos entendendo a estabilidade da próxima geração de materiais. No momento, a reprodutibilidade dos TFTs IGZO depositados por spray é muito menor do que a de seus homólogos depositados por sputtering, embora seja esperado que isso melhore nos próximos meses e anos à medida que a tecnologia amadurece. O programa de trabalho será dividido em 4 pacotes de trabalho com atividade antes e após a visita ao Brasil. (AU)