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Transistores transparentes/flexíveis: do estudo de propriedades de transporte ao desenvolvimento de circuitos

Processo: 19/08019-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de agosto de 2019 - 31 de julho de 2021
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Lucas Fugikawa Santos
Beneficiário:Lucas Fugikawa Santos
Instituição Sede: Instituto de Geociências e Ciências Exatas (IGCE). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Rio Claro. Rio Claro , SP, Brasil
Pesquisadores associados:Giovani Fornereto Gozzi
Assunto(s):Propriedades elétricas  Processamento  Filmes finos  Transporte de carga  Óxidos metálicos 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Filmes finos | óxidos metálicos | processamento | propriedades elétricas | Transistores de Filme Fino | transporte de carga | Transporte eletrônico e dispositivos

Resumo

Transistores de filme fino (TFTs) à base de óxidos metálicos como o óxido de zinco (ZnO) podem ser processados por solução, podendo atingir desempenho superior aos dispositivos à base de silício amorfo comercialmente disponíveis. Além de melhor desempenho, estes materiais possuem a vantagem de permitirem o recobrimento de grandes áreas, apresentarem baixo custo de produção, serem transparentes na região do visível e, em algumas situações, serem compatíveis com substratos flexíveis. No entanto, eles ainda apresentam uma variabilidade de suas propriedades elétricas com a exposição ao oxigênio, à umidade e à radiação ultravioleta (UV), o que faz com que seja necessário um estudo mais aprofundado de suas propriedades. Além disso, a morfologia dos filmes e a arquitetura do dispositivo podem ser determinantes em sua performance. O presente trabalho tem por objetivo a otimização dos parâmetros de manufatura de TFTs à base de óxidos metálicos como o ZnO e seus compostos ternários e quaternários de outros metais (In, Al, Sn, Cu, Ga, etc.) utilizando métodos de design de experimentos (DOE) e análise de variância (ANOVA) dos resultados de performance obtidos. Para tanto, usaremos de nossa experiência anterior no desenvolvimento de técnicas de manufatura de TFTs com alto desempenho e com alto grau de reprodutibilidade dos resultados obtidos. Após a otimização dos parâmetros de construção, tentaremos estender a experiência para a manufatura de dispositivos em substratos flexíveis e/ou transparentes, tão bem como construir circuitos lógicos que possam ser utilizados como base para circuitos digitais. A experiência adquirida durante os processos a serem estudados também permitirá a ampliação da gama de aplicações dos TFTs como, por exemplo, em unidades sensoriais de substâncias químicas de interesse tecnológico. (AU)

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Publicações científicas (9)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, n. 159, . (19/08019-9, 14/13904-8, 16/03484-7, 19/05620-3, 19/01671-2)
VIEIRA, DOUGLAS HENRIQUE; OZORIO, MAIZA DA SILVA; NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; ALVES, NERI. UV-photocurrent response of zinc oxide based devices: Application to ZnO/PEDOT:PSS hydrid Schottky diodes. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, v. 121, . (18/04169-3, 19/01671-2, 19/08019-9)
VIEIRA, DOUGLAS HENRIQUE; NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; SEIDEL, KELI FABIANA; ALVES, NERI. ZnO-based electrolyte-gated transistor (EGT) applied as multiparametric UV-sensing device. SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, v. 347, p. 9-pg., . (19/08019-9, 20/12282-4, 18/02037-2, 18/04169-3)
GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, v. N/A, n. 159, p. 8-pg., . (19/01671-2, 16/03484-7, 19/05620-3, 14/13904-8, 19/08019-9)
VIEIRA, DOUGLAS HENRIQUE; NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; NASCIMENTO, MAYK RODRIGUES; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; ALVES, NERI. Charge-trap memory effect in spray deposited ZnO-based electrolyte-gated transistors operating at low voltage. CURRENT APPLIED PHYSICS, v. 53, p. 8-pg., . (20/12282-4, 19/08019-9)
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DE LIMA, GUILHERME R.; GOZZI, GIOVANI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. ock-in amplifier as an alternative for reading Radio-Frequency identification (RFID) tags in sensing application. Instrumentation Science & Technology, v. 50, n. 3, . (19/08019-9)
BRAGA, JOAO P.; AMORIM, CLEBER A.; DE LIMA, GUILHERME R.; GOZZI, GIOVANI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The role of intrinsic trap states in the semiconductor/insulating interface on the electrical performance of spray-coated thin-film transistors. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, v. 151, p. 6-pg., . (14/50869-6, 19/08019-9)
LIMA, GUILHERME R.; BRAGA, JOAO P.; GOZZI, GIOVANI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. On the reproducibility of spray-coated ZnO thin-film transistors. MRS ADVANCES, v. 5, n. 35-36, p. 8-pg., . (19/08019-9)

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