Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais

• Processo: 19/23488-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2021
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2023
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Yara Galvão Gobato
• Beneficiário: Yara Galvão Gobato
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Pesquisadores associados: Ingrid David Barcelos
• Auxílio(s) vinculado(s): 22/00419-0 - Heteroestruturas de Van der Waals para spintrônica, AP.R SPRINT
• Assunto(s): Óptica eletrônica Semicondutores Heteroestruturas Materiais bidimensionais Transistores de efeito de campo Spintrônica Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos Semicondutores | materiais 2D | Optoeletrônica | padrão de Moiré | Propriedades Óticas | Spintrônica | propriedades óticas

Resumo

Nesta proposta, pretendemos investigar propriedades óticas e elétricas de heteroestruturas de van der Waals com grande ênfase em dispositivos tipo "Field Eletric Transistor" (FET). Com isso, pretendemos investigar o efeito do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades físicas destes sistemas. Particularmente, pretendemos investigar: heteroestruturas com diferentes ângulos de alinhamento (diferentes padrões de Moiré), efeito da dopagem controlada por gate elétrico no factor g de Landé de complexos excitônicos, possível obtenção e investigação de propriedades de condensados de Bose-Einstein de éxcitons indiretos (éxcitons de interface em heteroestruturas de alinhamento tipo II), fator g de condensados de Bose-Eistein, efeito do campo elétrico vertical no controle de hibridização de éxcitons de Moiré em WS2-MoSe2 e etc. Além disso, pretendemos também iniciar um estudo de heteroestruturas contendo diferentes materiais 2D magnéticos. Em particular, temos grande interesse em estudar a dependência do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades magnéticas e óticas e no efeito de proximidade magnética em heteroestruturas contendo materiais 2D magnéticos. O projeto proposto envolve diversas colaborações nacionais e internacionais tanto para preparação de amostras/dispositivos baseados em heteroestruturas 2Ds como para estudos complementares de propriedades óticas desses sistemas. (AU)

Publicações científicas

(11)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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