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Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais

Resumo

Nesta proposta, pretendemos investigar propriedades óticas e elétricas de heteroestruturas de van der Waals com grande ênfase em dispositivos tipo "Field Eletric Transistor" (FET). Com isso, pretendemos investigar o efeito do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades físicas destes sistemas. Particularmente, pretendemos investigar: heteroestruturas com diferentes ângulos de alinhamento (diferentes padrões de Moiré), efeito da dopagem controlada por gate elétrico no factor g de Landé de complexos excitônicos, possível obtenção e investigação de propriedades de condensados de Bose-Einstein de éxcitons indiretos (éxcitons de interface em heteroestruturas de alinhamento tipo II), fator g de condensados de Bose-Eistein, efeito do campo elétrico vertical no controle de hibridização de éxcitons de Moiré em WS2-MoSe2 e etc. Além disso, pretendemos também iniciar um estudo de heteroestruturas contendo diferentes materiais 2D magnéticos. Em particular, temos grande interesse em estudar a dependência do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades magnéticas e óticas e no efeito de proximidade magnética em heteroestruturas contendo materiais 2D magnéticos. O projeto proposto envolve diversas colaborações nacionais e internacionais tanto para preparação de amostras/dispositivos baseados em heteroestruturas 2Ds como para estudos complementares de propriedades óticas desses sistemas. (AU)