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Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais

Resumo

Nesta proposta, pretendemos investigar propriedades óticas e elétricas de heteroestruturas de van der Waals com grande ênfase em dispositivos tipo "Field Eletric Transistor" (FET). Com isso, pretendemos investigar o efeito do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades físicas destes sistemas. Particularmente, pretendemos investigar: heteroestruturas com diferentes ângulos de alinhamento (diferentes padrões de Moiré), efeito da dopagem controlada por gate elétrico no factor g de Landé de complexos excitônicos, possível obtenção e investigação de propriedades de condensados de Bose-Einstein de éxcitons indiretos (éxcitons de interface em heteroestruturas de alinhamento tipo II), fator g de condensados de Bose-Eistein, efeito do campo elétrico vertical no controle de hibridização de éxcitons de Moiré em WS2-MoSe2 e etc. Além disso, pretendemos também iniciar um estudo de heteroestruturas contendo diferentes materiais 2D magnéticos. Em particular, temos grande interesse em estudar a dependência do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades magnéticas e óticas e no efeito de proximidade magnética em heteroestruturas contendo materiais 2D magnéticos. O projeto proposto envolve diversas colaborações nacionais e internacionais tanto para preparação de amostras/dispositivos baseados em heteroestruturas 2Ds como para estudos complementares de propriedades óticas desses sistemas. (AU)

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Publicações científicas (4)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
ALHASSAN, SULTAN; DE SOUZA, DANIELE; ALHASSNI, AMRA; ALMUNYIF, AMJAD; ALOTAIBI, SAUD; ALMALKI, ABDULAZIZ; ALHUWAYZ, MARYAM; KAZAKOV, IGOR P.; KLEKOVKIN, V, ALEXEY; TSEKHOSH, I, VLADIMIR; et al. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, v. 885, . (19/07442-5, 19/23488-5)
TONG, CAPUCINE; BIDAUD, THOMAS; KOIVUSALO, EERO; PITON, MARCELO RIZZO; GUINA, MIRCEA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; CATTONI, ANDREA; HAKKARAINEN, TEEMU; COLLIN, STEPHANE. athodoluminescence mapping of electron concentration in MBE-grown GaAs:Te nanowire. Nanotechnology, v. 33, n. 18, . (14/50513-7, 19/23488-5, 19/07442-5)
PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; SEVERIJNEN, MARION E.; BARCELOS, INGRID D.; ZEITLER, ULI; CHRISTIANEN, PETER C. M.; WITHERS, FREDDIE; GOBATO, YARA GALVAO. Revealing Excitonic Complexes in Monolayer WS2 on Talc Dielectric. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 16, n. 6, . (19/23488-5, 18/01808-5, 18/00823-0)
NUTTING, DARREN; PRANDO, GABRIELA A.; SEVERIJNEN, MARION; BARCELOS, INGRID D.; GUO, SHI; CHRISTIANEN, PETER C. M.; ZEITLER, ULI; GOBATO, YARA GALVAO; WITHERS, FREDDIE. Electrical and optical properties of transition metal dichalcogenides on talc dielectrics. NANOSCALE, v. 13, n. 37, . (19/23488-5, 18/00823-0, 18/01808-5)

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