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Efeito do padrão de Moiré nas propriedades físicas de heteroestruturas de van der Waals

Processo: 22/08329-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de janeiro de 2023 - 31 de dezembro de 2024
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: National Research Foundation of Korea (NRF)
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Pesq. responsável no exterior: Jeongyong Kim
Instituição no exterior: Sungkyunkwan University, Seoul (SKKU), Coréia do Sul
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Pesquisadores associados: Andrey Chaves ; Ingrid David Barcelos
Auxílios(s) vinculado(s):23/08276-7 - Heteroestruturas de van der Waals para optoeletrônica e tecnologia quântica, AP.R SPRINT
23/01313-4 - Propriedades óticas de heteroestruturas de van der Waals, AP.R
Assunto(s):Propriedades físicas  Propriedades ópticas  Semicondutores  Heteroestruturas  Materiais bidimensionais 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Moiré pattern | Optical properties | van der Waals Heterostructures | 2D Materials | semicondutores

Resumo

O projeto de pesquisa tem como objetivo realizar um estudo sistemático do efeito do padrão de Moiré nas propriedades óticas de heteroestruturas de van der Waals (vdW) tanto do ponto de vista de física fundamental como para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos baseados nesses sistemas. Para isso, pretendemos iniciar uma colaboração científica entre laboratórios da Coréia do Sul e do estado de São Paulo envolvendo estudos em sistemas baseados em heteroestruturas de vdW. Em particular, o projeto tem os seguintes objetivos específicos: (1) Implementar estratégias para obter amostras/dispositivos de heteroestruturas de vdW de alta qualidade; (2) Estudar os efeitos do padrão moiré na interação exciton-exciton e rendimento quântico de éxcitons de inter-camadas (3) Estudar as propriedades eletrônicas e ópticas de heteroestruturas de vdW com diferentes ângulos de alinhamento entre as camadas; (4) Aplicar as conclusões obtidas para projetar/modelar novos dispositivos baseados em heteroestruturas de vdW; (5) Desenvolver e testar protótipos; (6) discutir oportunidades para projetos de colaboração futuros de longo prazo. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
BARCELOS, INGRID D.; DE OLIVEIRA, RAPHAELA; SCHLEDER, GABRIEL R.; MATOS, MATHEUS J. S.; LONGUINHOS, RAPHAEL; RIBEIRO-SOARES, JENAINA; BARBOZA, ANA PAULA M.; PRADO, MARIANA C.; PINTO, ELISANGELA S.; GOBATO, YARA GALVAO; et al. Phyllosilicates as earth-abundant layered materials for electronics and optoelectronics: Prospects and challenges in their ultrathin limit. Journal of Applied Physics, v. 134, n. 9, p. 17-pg., . (22/00419-0, 22/08329-0)

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