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Estudo de sistemas de baixa dimensionalidade

Processo: 01/01067-4
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Temático
Vigência: 01 de abril de 2002 - 31 de maio de 2007
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Antonio Brum
Beneficiário:Jose Antonio Brum
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Pesquisadores principais:Eliermes Arraes Meneses ; Fernando Cerdeira ; Maria José Santos Pompeu Brasil ; Peter Alexander Bleinroth Schulz
Bolsa(s) vinculada(s):04/15527-5 - Propriedades ótica, estrutural e magnética de sistemas integrados de semicondutores: InP/GaAs: Mn (implantado) e formação de nanocristais em matrizes de SiO2, BP.PD
03/04308-8 - Propriedades de transporte de sistemas mesoscópicos baseados em semicondutores, BP.PD
01/12720-0 - Preparação e caracterização óptica de filmes finos de ftalocianinas metálicas, BP.PD
00/04517-8 - Estudo de dinâmica de portadores de carga em poços quânticos tensionados de InGaAs/InP, BP.PD
Assunto(s):Materiais nanoestruturados  Processos ópticos  Semicondutores  Estrutura eletrônica 

Resumo

Este projeto tem como objetivo desenvolver pesquisas fundamentais de fronteira na área e sistemas de baixa dimensionalidade, nanoestruturas em geral, com ênfase em sistemas semi-condutores. A maioria dos trabalhos seguem as linhas de pesquisa já em desenvolvimento pela equipe. Entretanto, há um esforço na direção de diversificar, visando principalmente novos materiais nanoestruturados procurando uma pesquisa mais multidisciplinar. A estratégia de trabalho segue enfatizando a interação experimental-teórico. Além disso, procuramos também fortalecer as colaborações nacionais e internacionais. Em particular, salientamos a estreita colaboração com o Grupo de Optoeletrônica do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS), principalmente nas pesquisas relacionadas ao crescimento de novos semicondutores. A participação do Grupo de Teoria, em formação, do LNLS neste projeto, será importante para fortalecer esta colaboração. Os objetivos do projeto são, resumidamente: formação de pessoal altamente capacitado experimental e teoricamente, com experiência de trabalho em grupo. Esta formação visa todos os níveis, desde a iniciação científica até o pós-doutorado. Entendemos que todos os níveis de formação precisam ser contemplados e auto-suficientes, visando diferentes níveis profissionais a serem exercidos; desenvolvimento da capacitação científica e tecnológica, procurando manter-se no melhor nível internacional e buscando contribuir significativamente em algumas áreas de conhecimento específico; investigação de novos efeitos físicos, procurando explorar a dimensionalidade dos sistemas semicondutores e também os novos sistemas nanoestruturados bem como sua integração com outros tipos de materiais; suporte a outros grupos experimentais e maior integração com outros grupos teóricos e experimentais no Brasil. Os trabalhos a serem desenvolvidos manterão a forma desenvolvida e aplicada desde 1992, isto é, em regime de cooperação, com livre acesso dos laboratórios por todos os membros da equipe bem como das facilidades computacionais. A equipe possui laboratórios de ótima qualidade para a investigação das propriedades ópticas, os quais estamos sempre procurando aprimorar. Neste projeto procuramos também estreitar a colaboração com o Laboratório de Crescimento Associado ao LNLS, visando tanto a fabricação e processamento dos materiais como também a investigação das propriedades de transporte. Esta colaboração deverá se estreitar com a participação do Grupo de Teoria do LNLS. A descrição dos laboratórios experimentais e da parte computacional na Unicamp estão contidas neste projeto. O equipamento solicitado para aprimorar os mesmos e para desenvolver o Grupo de Teoria no LNLS estão descritos e justificados: colaborações com outros grupos de crescimento, dentro e fora do Brasil, também são previstas. Finalmente, o projeto concentra seus esforços em seis aspectos fortemente interrelacionados da Física de semicondutores e nanoestruturas em geral: dinâmica de portadores; efeitos estruturais; sistemas correlacionados; propriedades de transporte; propriedades ópticas em regime de acoplamento intenso; novos materiais. (AU)

Publicações científicas (4)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
GAFFO, LUCIANA; COUTO JÚNIOR, ODILON D. D.; GIRO, RONALDO; BRASIL, MARIA J. S. P.; GALVÃO, DOUGLAS S.; CERDEIRA, FERNANDO; OLIVEIRA JÚNIOR, OSVALDO N. DE; WOHNRATH, KAREN. Effects of chlorine gas exposure on the optical properties of rhodium phthalocyanine films. Solid State Communications, v. 131, n. 1, p. 53-56, Jul. 2004.
FERNANDEZ, J. R. L.; CERDEIRA, F.; MENESES, E. A.; SOARES, J. A. N. T.; NORIEGA, O. C.; LEITE, J. R.; AS, D. J.; KÖHLER, U.; SALAZAR, D. G. P.; SCHIKORA, D.; LISCHKA, K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, v. 35, n. 1, p. 73-77, Jan. 2004.
FERNANDEZ, J. R. L.; CERDEIRA, F.; MENESES, E. A.; BRASIL, M. J. S. P.; SOARES, J. A. N. T.; SANTOS, A. M.; NORIEGA, O. C.; LEITE, J. R.; AS, D. J.; KÖHLER, U.; POTTHAST, S.; PACHECO-SALAZAR, D. G. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, v. 68, n. 15, p. 155204-1-155204-7, Oct. 2003.
FERNANDEZ‚ JRL; CERDEIRA‚ F.; MENESES‚ EA; BRASIL‚ M.; SOARES‚ J.; SANTOS‚ AM; NORIEGA‚ OC; LEITE‚ JR; AS‚ DJ; KÖHLER‚ U.; OTHERS. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, v. 68, n. 15, p. 155204, 2003.

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