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Caracterização elétrica dè transistores MOSFET implementados Èm lâminas dè silício sobre isolante - SOI

Processo: 95/01776-2
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de julho de 1995 - 30 de junho de 1996
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Simulação  Técnicas de caracterização elétrica   Transistores MOSFET 

Resumo

Este projeto tem como finalidade dar suporte a 4 dissertações de mestrado que necessitam de alguns equipamentos especiais e de módulos avançados de programa de Simulação Bidimensional para concluírem seus trabalhos de caracterização elétrica e simulação de transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementado em lâminas de silício sobre isolante (SOI-MOSFET). Objetiva-se neste projeto caracterizar eletricamente transistores SOI-MOSFET em temperatura ambiente, baixa temperatura (77K) e altas temperaturas com relação aos parâmetros elétricos principais. Simulações Bidimensionais de Processos (TSUPREM 4) e de dispositivos (MEDICI) serão realizadas para se confrontar com os resultados experimentais obtidos na caracterização elétrica. (AU)