Heteroestruturas de semicondutores

• Processo: 93/00915-3
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Vigência: 01 de outubro de 1993 - 31 de março de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Cerdeira
• Beneficiário: Fernando Cerdeira
• Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Auxílios(s) vinculado(s): 96/02898-7 - Beam interface roughness and periodicities in ge/si microstructures studied by experimental and numerically simulated raman scattering., AR.EXT; 94/02099-1 - Exciton center-of-mass dispersion in strained quantum wells., AR.EXT
• Assunto(s): Semicondutores Processos ópticos

Resumo

O objetivo deste projeto é desenvolver pesquisa fundamental e de fronteira na área de novos materiais semicondutores, em particular as heteroestruturas de semicondutores. Procuramos convergir o trabalho experimental e teórico, trabalhando estreitamente ligado aos grupos de crescimento de semicondutores, na Unicamp e fora desta. Os objetivos do nosso trabalho podem ser resumidos em: formação de pessoal altamente capacitado tecnicamente, tanto experimental como teoricamente; desenvolvimento de capacitação tecnológica, procurando acompanhar e participar no estudo e proposta de novos materiais e dispositivos semicondutores; investigação de novos efeitos físicos em semicondutores, em particular o estudo da física de baixa dimensionalidade (n < 3); suporte a outros grupos experimentais e de crescimento. A equipe organiza-se em regime de cooperação, com os laboratórios estando abertos a todos. A utilização destes é planejada pelos usuários através de uma agenda mensal. Os trabalhos procuram abranger as heteroestruturas de semicondutores que apresentam hoje maior interesse seja pelo aspecto científico seja pelas potencialidades de aplicações. Nossa estratégia consiste em utilizar amostras crescidas nacionalmente e utilizando as colaborações internacionais para ter acesso a estruturas mais sofisticadas e ainda não disponíveis no Brasil. Finalmente, para o caso de sistemas mais recentes, onde não há disponibilidade de amostras, procuramos atuar com trabalhos teóricos. A equipe possue os seguintes laboratórios: Laboratório de Luminescência; Laboratório de Fotoluminescência de Excitação; Laboratório de Fotorefletância; Laboratório de Raman com Pressão; Laboratório de Magneto-Óptica e Transporte. Os trabalhos que desejamos realizar são os seguintes: estudo das interfaces do tipo (AIo.48In0.52As)y(Ga0.47In0.53As)1-y/lnP e InxGa1-xASyP1-y/lnP e da descontinuidade das bandas nestes materiais e em interfaces InGaAs/GaAs (responsável: Paulo Motisuke); estudo das interfaces formadas pelo crescimento de poucas monocamadas (1-7) em matriz de lnP (responsável: Maria J.S.P. Brasil); efeitos de muitos corpos em InGaAs/GaAs/GaAIAs (responsável: Fernando Likawa); ressonâncias de Fano em tunelamento com acoplamento Γ-X (responsável: Peter A.B. Schulz); ressonâncias de Fano entre estados excitônicos (responsável: José A. Brum); transições óticas e espectroscopia de tunelamento em estruturas delta-doping e heteroestruturas com dopagem modulada (responsável: Paulo Motisuke); estudo de dopagem planar em poços quânticos e em superredes δ-doping (responsável: Eliermes Menezes); análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante (responsável: Peter A. B. Schulz); formação de domínios em estruturas com dopagem δ múltiplas (responsável: Eliermes A. Menezes); transições excitônicas em heteroestruturas lI/VI (responsável: Maria J.F. Brasil); substratos com orientações diferentes de (100) (responsável: Vólia L. Crivelenti); dispersão de minibandas e efeitos de campo elétrico (responsável: Fernando Cerdeira); tunelamento multi-canal e efeito Wannier-Stark em superredes de caixas quânticas (responsável: José A. Brum); superredes de Si/Ge em substratos de Ge (responsável: Fernando Cerdeira); estudo das propriedades luminescentes de camadas de Silício Poroso (responsável: Ayrton A. Bernussi). (AU)