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Propriedades eletro-opticas e de dopagem em filmes de carbeto de silicio de alto gap.

Resumo

Neste projeto de pesquisa damos continuidade aos nossos estudos com ligas de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) de alto gap obtido por PECVD, abordando aspectos que até agora não foram estudados, a saber, a questão da dopagem do a-SiC:H e o estudo das propriedades opto-eletrônicas deste material. A motivação central é que, identificada a condição de "starving plasma" como responsável pela obtenção de a-SiC:H de alto gap, com alto conteúdo de carbono e com uma ordem química e estrutural semelhante à sic cristalino, é de grande interesse estabelecer o efeito desta condição nas propriedades eletro-ópticas do material, fundamentais para real aplicação deste promissor material em tecnologia de dispositivos semicondutores. (AU)