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Caracterização elétrica, simulação e modelamento de transistores SOI-MOSFET

Processo: 96/11993-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de abril de 1997 - 31 de março de 1998
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Transistores  Equipamentos de instrumentação elétrica  Simulação (aprendizagem)  Efeitos da temperatura 

Resumo

Este projeto tem como finalidade dar suporte a 2 dissertações de mestrado e 3 teses de doutorado que necessitam de alguns equipamentos e programas de Simulação para concluírem seus trabalhos de caracterização elétrica e simulação de transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementado em lâminas de silício sobre isolante (SOI-MOSFET). Objetiva-se neste projeto caracterizar eletricamente e modelar fisicamente transistores SOI-MOSFET em temperatura ambiente, baixa temperatura (77K) e altas temperaturas com relação aos parâmetros elétricos principais. Para o auxílio do desenvolvimento de novos modelos analíticos serão utilizados os seguintes simuladores: simulador bidimensional de dispositivos MEDICI, simulador tridimensional de dispositivos DAVINCI e simulador bidimensional de processos TSUPREM-4. Os resultados obtidos analiticamente e por simulação serão comparados com os resultados da caracterização elétrica dos dispositivos. (AU)