Busca avançada
Ano de início
Entree

Crescimento por mbe e caracterizacao de camadas epitaxiais de compostos iv-vi e suas ligas semimagneticas.

Resumo

Este projeto visa a investigação de camadas epitaxiais de semicondutores IV-VI e suas ligas semimagnéticas, do tipo PbSnEuTe, crescidas através da técnica de epitaxial por feixe molecular (MBE) sobre substratos de BaF2 e Si, orientados preferencialmente na direção (111). Os materiais mais convenientes normalmente escolhidos para a produção destas ligas semimagnéticas de compostos IV-VI são o európio (Eu) e o manganês (Mn). Estes materiais apresentam um potencial na fabricação de fotodetectores e lasers de diodo para a região do infravermelho. O seu crescimento será realizado no sistema MBE modelo 32P da Riber, adquirido recentemente pelo INPE, e que já vem sendo utilizado tanto na fabricação de protótipos de arranjos de detectores (focal plane arrays) para a faixa do infravermelho termal, bem como na deposição de heteroestruturas de PbTe/PbvxSnxTe para estudos de propriedades físicas de sistemas de baixa dimensão. As caracterizações iniciais serão feitas in situ através da difração de elétrons de alta energia (RHEED) e ex situ através de difração de raio-x de alta resolução, efeito Hall e medidas ópticas, que são técnicas já operantes no nosso laboratório. (AU)