Tecnologia HBIFET: processo e caracterização

• Processo: 92/03453-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Vigência: 01 de novembro de 1993 - 30 de junho de 1999
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Auxílios(s) vinculado(s): 97/14346-1 - Iouri Danilov | Univ. Federal Rio Grande Sul/UFRGS - Brasil, AV.BR; 97/06907-3 - Sims analyses of silicon oxynitride films formed by n2+ and no+ implantation., AR.EXT; 97/02160-0 - Study of silicon nitride deposition by ECR - CVD at low gás pressure, AR.EXT
• Bolsa(s) vinculada(s): 93/04992-2 - Deposição de filmes finos isolantes de óxido e nitreto de silício utilizando as técnicas de plasma remoto (RPECVD) e electron cyclotron resonance (ECR) Chemical Vapor Deposition, BP.MS; 92/03857-1 - Estudo de processos de dopagem em AlGaAs por epitaxia de feixe molecular, BP.MS
• Assunto(s): Transistores Circuitos integrados Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Gaas | Hbifet | Hbt | Implantacao Ionica | Mesfet

Resumo

Neste projeto estudaremos e desenvolveremos uma nova tecnologia que chamaremos HBiFET, integrando no mesmo substrato de GaAs, transistores HBT e MESFET. Para tanto, desenvolveremos numa primeira fase os processos para fabricação de transistores MESFET com porta auto-alinhada com fonte/dreno e transistores HBT, incluindo as etapas de processos envolvidos: litografia óptica e de feixe de elétrons, decapagem por plasma tipo RIE, estudo de obtenção de perfis de dopagem por implantação iônica seguido por recozimento térmico rápido, deposição de isolantes sobre GaAs e estudo de interface e passivação de junção N-p, deposição seletivivo de W para preenchimento de vias de contatos para planarizar a superfície do HBT e o estudo e otimização de crescimento de camadas semicondutoras de HBT por CBE. (AU)