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Aplicações e desenvolvimentos da difração de raios-X em semicondutores

Processo: 97/13757-8
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de março de 1998 - 31 de maio de 2000
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Sérgio Luiz Morelhão
Beneficiário:Sérgio Luiz Morelhão
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Difração por raios X  Semicondutores  Crescimento epitaxial  Equipamentos e provisões  Aquisição de equipamentos 

Resumo

Neste projeto de pesquisa está sendo solicitado, na categoria Auxílio à Pesquisa, fomento para uni goniômetro destinado a experimentas de Difração de Raios X em Semicondutores. Isto no Laboratório de Cristalografia do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (USP). Esse equipamento permitirá dar continuidade a linha de pesquisa voltada ao desenvolvimento, fundamentação e aplicação de técnicas não convencionais, derivadas do fenômeno da dilatação múltipla de raios X. Muito além de ser uma mera curiosidade de laboratório, a investigação desse fenômeno tem gerado trabalhos originais e importantes [1-6]*, relacionados ao estudo de superfícies e interfaces semicondutoras. Tal equipamento também auxiliará outros grupos e laboratórios do IFUSP, por exemplo o Laboratório de M.B.F. com o qual já existe uma colaboração. Em análise de semicondutoras e estruturas epitaxiais. Nesses casos, técnicas de alta resolução, como difratômetria de duplo cristal (DCD) e mapeamento do espaço recíproco (RSM). Serão utilizadas. Dentre as primeiras aplicações do equipamento estão: otimização de homoepitaxia de GaAs/GaAs, análise de epitaxias simples de novos materiais (c-CGaN). Caracterização de estruturas epitaxiais complexas (super-redes), controle do acabamento de superfícies semiconduloras, análise de silício poroso, visualização da conformação de blocos na superfície de cristais mosaicos etc. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
MORELHÃO‚ S.L.; KYCIA‚ S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, v. 89, n. 1, p. 15501, 2002.

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