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Plataforma de integração óptoeletrônica embasada em crescimento epitaxial seletivo e não seletivo por epitaxia de feixes químicos (CBE)

Resumo

Estamos propondo o desenvolvimento de uma plataforma de tecnologias decrescimento epitaxial por epitaxia de feixe químico para a integração de dispositivos optoeletrônicos. Esta plataforma englobará o crescimento epitaxial tradicional de heteroestruturas, bem como técnicas de crescimento seletivo e de crescimento em substratos pré-gravados. Os materiais semicondutores nos quais este estudo se baseará são as ligas de InGap e InGaAs crescidas sobre substrato de GaAs. Associados às distintas técnicas de crescimento, desenvolveremos dispositivos semicondutores que servirão como avaliação do crescimento em cada técnica e de seu potencial como parte de uma estratégia de integração optoeletrônica. Os dispositivos optoeletrônicos estudados serão: fotodetetores, transistores bipolares de heterojunção, transistores de efeito de campo e laseres semicondutores. (AU)