Caracterizacao eletro-otica de filmes finos de sno2 e semicondutores iii-v dopados com ions de terras raras.

• Processo: 99/04205-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luis Vicente de Andrade Scalvi
• Beneficiário: Luis Vicente de Andrade Scalvi
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotocondutividade Defeitos Evaporação Processo sol-gel Dióxido de estanho
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Dioxido De Estanho | Evaporacao | Fotocondutividade | Sol-Gel

Resumo

O projeto é dividido em duas linhas de pesquisa cuja proposta comum é a investigação do comportamento eletro-ótico de dois materiais com características semicondutoras: SnO2 obtido pela técnica sol-gel para deposição de filmes finos e GaAs dopado com íons de terras raras, especialmente Yb, depositado por evaporação resistiva. Propomos a excitação destes materiais com luz de comprimento de onda apropriado (ultravioleta para SnO2 e infravermelho para GaAs: Yb) e o estudo da alteração das características eletro-ótico advindas desta excitação, particularmente na fotocondutividade em função da temperatura e decaimento de estados fotoinduzidos, sendo diversos outros experimentos propostos para atingir este objetivo. (AU)