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Estudo de propriedades de eletrons em sistemas semicondutores de baixa dimensionalidade disordenados fortemente correlacionados crescidos por epitaxia de feixes moleculares.

Processo: 01/01708-0
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de setembro de 2001 - 31 de julho de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Iouri Poussep
Beneficiário:Iouri Poussep
Instituição-sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Pontos quânticos 

Resumo

Algumas propriedades de sistemas eletrônicos desordenados e fortemente correlacionados (super-redes semicondutoras e estruturas com multicamadas dos pontos quânticos auto-organizados) serão estudadas neste projeto. Esperamos explorar o comportamento dos elétrons nestes sistemas sujeitos a radiarão eletromagnética (reação dos elétrons no campo alternado - ac) e o magneto transporte vertical (reação dos elétrons no campo contínuo - dc) em super-redes (estruturas formadas por uma seqüência de poços quânticos fortemente acoplados) altamente dopadas com desordem intencional. Nestas estruturas, as influências de ambas desordem e interação entre os elétrons, no comportamento dos elétrons localizados podem ser investigadas. Esperamos observar as conseqüências da localização (desordem) nas oscilações coletivas tipo plasma e também um magneto resistência vertical longitudinal. (AU)