| Processo: | 02/10185-3 |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Vigência: | 01 de abril de 2003 - 30 de abril de 2006 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Alain André Quivy |
| Beneficiário: | Alain André Quivy |
| Instituição-sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Epitaxia por feixe molecular Dopagem eletrônica |
Resumo
Neste projeto, objetivamos principalmente a compra de novos controladores de temperatura, obturadores (shutters) e cargas de material para continuarmos a produção de amostras semicondutoras destinadas à pesquisa de nosso laboratório assim como de numerosos pesquisadores da comunidade científica brasileira. Com os novos obturadores, poderemos retomar o estudo da dopagem do tipo p de camadas de GaAs(001) usando o silício como dopante, assim como o crescimento de poços parabólicos com gás tridimensional de elétrons e buracos pelo uso da técnica de liga digital que necessita um grande número de aberturas e fechamento dos obturadores. (AU)