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Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras obtidas por tecnicas especiais.

Processo: 02/10185-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de abril de 2003 - 30 de abril de 2006
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alain André Quivy
Beneficiário:Alain André Quivy
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Epitaxia por feixe molecular  Dopagem eletrônica 

Resumo

Neste projeto, objetivamos principalmente a compra de novos controladores de temperatura, obturadores (shutters) e cargas de material para continuarmos a produção de amostras semicondutoras destinadas à pesquisa de nosso laboratório assim como de numerosos pesquisadores da comunidade científica brasileira. Com os novos obturadores, poderemos retomar o estudo da dopagem do tipo p de camadas de GaAs(001) usando o silício como dopante, assim como o crescimento de poços parabólicos com gás tridimensional de elétrons e buracos pelo uso da técnica de liga digital que necessita um grande número de aberturas e fechamento dos obturadores. (AU)

Publicações científicas (4)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
T. E. LAMAS; A. A. QUIVY. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2a, p. 405-407, Jun. 2006.
LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005.
MORELHÃO‚ SL; AVANCI‚ LH; FREITAS‚ R.; QUIVY‚ AA. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray Renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3, p. 219-222, 2005.
RUDNO-RUDZI{\’N}SKI‚ W.; RYCZKO‚ K.; S{\K{E}}K‚ G.; MISIEWICZ‚ J.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 µm. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 232-236, 2005.

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