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Interacoes de spin e propriedades de transporte em nanoestruturas semicondutoras.

Resumo

Um dos obstáculos à construção de dispositivos spintrónicos é a falta de uma melhor descrição dos processos de acoplamento spin-órbita em semicondutores. Este projeto busca contribuir para a solução deste problema apresentando um tratamento do efeito Rashba em fios quânticos semicondutores mais rigoroso que aqueles atualmente conhecidos. O modelo do fio quântico através de um Hamiltoniano de massa efetiva tipo Kane fornece uma expressão analítica para o termo Rashba que é função dos parâmetros usuais para o semicondutor bulk evitando estimativas de parâmetros adicionais. Simultaneamente, o caráter tridimensional do sistema permitirá uma representação completa desta interação spin-órbita. Estas duas características constituem as principais inovações propostas por nosso modelo para estudo da influência do acoplamento spin-órbita sobre a condutância do dispositivo. Trabalharemos sempre dentro do regime de transporte linear balístico. (AU)