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Propriedades opticas de nanoestruturas baseadas em heteroestruturas de semicondutores com interfaces tipo ii.

Resumo

Neste projeto investigaremos as propriedades ópticas de estruturas baseadas em pontos quânticos de IriP/GaAs crescidos por epitaxia por feixe químico. O interesse pelo material se deve à estrutura eletrônica em que o elétron e o buraco são separados espacialmente obtendo efeitos interessantes como, o aumento do tempo de vida dos portadores e mudança nas energias de emissão dos complexos excitônicos em comparação com materiais onde ambos os portadores são confinados em uma mesma região espacial, como pontos quânticos tipo I. As linhas de pesquisas serão essencialmente voltadas para a investigação de: i) origem do decaimento curto de emissão óptica; ii) efeitos de muitos portadores como complexos excitônicos; iii) alinhamento das bandas da interface InP/GaAs; iv) manipulação da função de onda dos buracos utilizando diferentes estruturas. Objetivos: Estudar por espectrocopia óptica as propriedades ópticas de diferentes estruturas contendo pontos quânticos auto-organizados de InP/GaAs. Através deste projeto serão investigadas questões importantes que não foram resolvidas ainda como: i) a origem do decaimento curto de emissão óptica de pontos quânticos; ii) efeitos de muitos portadores; iii) alinhamento das bandas, bem como, investigar o efeito de diferentes distribuições de função de onda sobre as propriedades ópticas. (AU)

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