Desenvolvimento e caracterização de transistores orgânicos à base de blendas de polímeros conjugados e polímeros condutores iônicos

• Processo: 09/16052-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2010
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2012
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lucas Fugikawa Santos
• Beneficiário: Lucas Fugikawa Santos
• Instituição Sede: Instituto de Biociências, Letras e Ciências Exatas (IBILCE). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de São José do Rio Preto. São José do Rio Preto , SP, Brasil
• Assunto(s): Eletrônica orgânica Polímeros conjugados Blendas Transporte de carga Propriedades elétricas Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletrônica Orgânica | polímeros conjugados | propriedade elétricas | transistores orgânicos | Transporte e Injeção de Carga | Eletrônica Orgânica

Resumo

O presente projeto apresenta uma proposta de desenvolver novos tipos de dispositivos eletrônicos orgânicos utilizando polímeros conjugados e polímeros condutores iônicos, em estruturas similares às utilizadas em transistores de efeito de campo orgânicos (OFETs). A idéia se baseia em utilizar, como camada ativa dos dispositivos, blendas poliméricas de polímeros conjugados derivados do poli(p-fenileno vinileno), do politiofeno e/ou do polifluoreno com polímeros transportadores iônicos como o poli(óxido de etileno) complexado com sais de metais alcalinos. O intuito de utilizar tais blendas é o de diminuir as barreiras para injeção de portadores através dos eletrodos, ocasionando a formação de uma região dopada eletroquimicamente no canal do transistor, cujo grau de dopagem pode ser controlado através da aplicação de um potencial na "porta" do transistor. Como a dopagem eletroquímica pode se dar tanto pela redução quanto pela oxidação das moléculas do polímero conjugado, é de se esperar que tais dispositivos apresentem transporte bipolar, podendo ser também utilizados na fabricação de dispositivos inversores tipo CMOS (complementary metal oxide semicondutor). Os dispositivos serão caracterizados eletricamente através de medidas de corrente-tensão em regime d.c., pela curva de transferência característica de transistor e pela técnica de espectroscopia de impedância elétrica no regime da freqüência. Em especial, a técnica de espectroscopia de impedância elétrica permitirá separar a contribuição de cada uma das espécies (eletrônicas ou iônicas) nas propriedades elétricas dos dispositivos, permitindo a determinação dos parâmetros de melhor desempenho dos transistores. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

SANTOS, L. F.; PEREIRA, C. J.. Phenomenological Interpretation of Impedance/Capacitance Measurements on Organic Electronic Devices Under Illumination. MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS, v. 589, n. 1, p. 74-82, JAN 22 2014. (09/16052-4)