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Efeitos da implantação iônica em filmes finos amorfos complexos produzidos por PECVD (deposição a vapor químico assistido por plasma)

Resumo

O processo de Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) será usado para a produção de filmes finos a partir de monômeros como clorobenzeno, ou monômeros junto com comonomeros como hexametildisiloxano e hexafluoreto de enxofre. A estrutura e composição química destes filmes, além de suas propriedades ópticas, serão investigadas em função dos parâmetros do sistema como a pressão e a potência aplicada ou a proporção do comonomero na alimentação da câmara. Os efeitos de implantação por imersão em plasmas de helio, argonio ou similares nestas propriedades também serão investigados. As estruturas químicas dos filmes serão examinadas por técnicas como espectroscopia de infravermelho (IRS) e espectroscopia de foto-elétrons de raios-X (XPS). É pleiteado um espectrofotômetro operando na faixa de 190 nm a 3300 nm (região ultravioleta-visível-infravermelho próximo (UVS)). A partir dos dados espectrais obtidos nesta faixa de comprimento de onda, será obtido o índice de refração, o coeficiente de absorção e o gap óptico dos filmes. As dependências das propriedades ópticas na estrutura e na composição química dos filmes serão delineadas e interpretadas empregando modelos moleculares. (AU)

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