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Propriedades eletrônicas em nanoestruturas: nanofios de óxidos metálicos

Processo: 09/51740-9
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de dezembro de 2009 - 30 de novembro de 2011
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adenilson José Chiquito
Beneficiário:Adenilson José Chiquito
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos, SP, Brasil
Assunto(s):Dispositivos eletrônicos  Transistores  Materiais nanoestruturados  Nanofios  Óxidos metálicos  Condução eletrônica 

Resumo

O presente tem como finalidade primeira o estudo dos processos de transporte em nanoestruturas, notadamente nanofíos e nanofitas construídos a partir de óxidos metálicos, visando investigações sobre a influência da desordem estrutural e eletrônica, da dimensional idade e da dopagem (intencional ou não) nos mecanismos de transporte. Tanto subsídios para o entendimento dos processos físicos envolvidos como para possíveis aplicações destas estruturas em dispositivos eletrônicos e opto-eletrônicos serão obtidos nestas investigações. Dispositivos específicos como transistores de efeito de campo (parte da tecnologia necessária foi desenvolvida em etapas anteriores) e outros com geometria mais complexa que permitam experimentos para a obtenção de parâmetros como a resistividade de contato deverão ser usados. É, portanto, um dos objetivos desta proposta a continuidade das pesquisas iniciadas recentemente através dos auxílios FAPESP (2004/07311-4, 2005/51245-7 e 2007/58304-4) nos quais foram obtidas as condições iniciais necessárias à fabricação de dispositivos baseados em nanoestruturas e também avanços importantes no entendimento dos processos de transporte eletrônico. Com esta base sólida, pretende-se avançar no desenvolvimento de dispositivos nanométricos com a obtenção de estruturas com dimensões reduzidas. Ainda, a utilização de dados complementares obtidos de experimentos ópticos recentemente implantados (fotocorrente e fotoluminescência) em conjunto com os experimentos de transporte deverá permitir uma caracterização completa dos materiais/dispositivos estudados. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
KAMIMURA, H.; GOUVEIA, R. C.; DALMASCHIO, C. J.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J. Synthesis and electrical characterization of Zn3P2 nanowires. Semiconductor Science and Technology, v. 29, n. 1 JAN 2014. Citações Web of Science: 3.
SIMON, R. A.; KAMIMURA, H.; BERENGUE, O. M.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J. Disorder induced interface states and their influence on the AI/Ge nanowires Schottky devices. Journal of Applied Physics, v. 114, n. 24 DEC 28 2013. Citações Web of Science: 6.
CHIQUITO, ADENILSON J.; AMORIM, CLEBER A.; BERENGUE, OLIVIA M.; ARAUJO, LUANA S.; BERNARDO, ERIC P.; LEITE, EDSON R. Back-to-back Schottky diodes: the generalization of the diode theory in analysis and extraction of electrical parameters of nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 24, n. 22 JUN 6 2012. Citações Web of Science: 47.

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