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Propriedades eletrônicas, magnéticas e de transporte em nanoestruturas

Processo: 10/16202-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Temático
Vigência: 01 de abril de 2011 - 30 de novembro de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Pesquisadores principais:
Antonio José Roque da Silva ; Gustavo Martini Dalpian
Pesq. associados:Alexandre Reily Rocha ; Gustavo Martini Dalpian ; Jeverson Teodoro Arantes Junior ; Márcio Teixeira do Nascimento Varella ; Paulo Cesar Piquini ; Pedro Paulo de Mello Venezuela ; Roberto Hiroki Miwa ; Tome Mauro Schmidt ; Wanderlã Luis Scopel
Auxílios(s) vinculado(s):15/08086-7 - Transporte eletrônico em isolantes topológicos-3D, AV.BR
11/14185-7 - Cooperação UFABC/Universidad de Antioquia para o estudo de defeitos e impurezas em cristais, superfícies e nanoestruturas de óxidos semicondutores de gap largo, AV.EXT
Bolsa(s) vinculada(s):13/24795-2 - Interação da molécula de O2 com a superfície de ZnO, BP.IC
11/23084-0 - Nanobiosensores de grafeno: propriedades de transporte eletrônico, BP.PD
11/21719-8 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo, BP.DR
11/14398-0 - Propriedades Eletrônicas e de Transporte em Isolantes Topológicos: Simulações ab-initio, BP.PD
Assunto(s):Nanotecnologia  Materiais nanoestruturados  Propriedades de transporte  Condução eletrônica  Simulação por computador  Teoria do funcional da densidade 

Resumo

O objetivo deste projeto é o estudo das propriedades físicas de novos materiais, através de métodos ab initio ("estado-da-arte"), focando em nanosistemas. O grupo já detém uma "expertise" no campo em questão, concentrando-se em 2 pilares básicos e dando continuidade a projetos anteriores, onde obtivemos muito sucesso: (i) entendimento na funcionalização de materiais, tais como: estruturas 0D, 1D e 2D de carbono, óxido de zinco, silício, nitreto de boro etc.; (ii) desenvolvimento de algoritmos para compreender as propriedades de sistemas nanoscópicos, tais como: transporte com interação elétron-fônon, termoeletricidade, dispositivo dual-gate, inclusão de spin-órbita, transporte eletrônico no formalismo do Time-Dependent-DFT. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Revista Pesquisa FAPESP sobre o auxílio::
El secreto de los memristores 
O segredo do memoristor 
Electricidad de muchas formas 
Electricidad de muchas formas 
Menos pérdida de energía 
Eletricidade de muitas formas 
Menos perda de energia 
Orfebrería atómica 
Ourivesaria em átomos 
Ourivesaria em átomos 
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, JUL 1 2016. Citações Web of Science: 19.

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