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Propriedades estruturais, eletrônicas e óticas de ligas semicondutoras amorfas

Resumo

Concluir os estudos de dopagem tipo-p nos filmes de a-Ge:H - Continuar estudos de dopagem tipo-n no a-Ge:H, usando fósforo, arsênio e antimônio. - Iniciar estudos sobre a deposição de filmes com a técnica de ion assisted beam sendo atualmente implantada no laboratório (Projeto temático FAPESP) - Continuar com estudos para otimização de ligas semicondutoras amorfas e de fotoemissão. - Recomeçar estudos de dispositivos de barreira superficial. (AU)