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Estudo de propriedades eletroópticas no sistema conjunto GaAs/GaAlAs/InGaAs elaborado por epitaxia por feixe molecular

Processo: 97/06132-1
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
Vigência: 01 de janeiro de 1998 - 30 de junho de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Américo Sheitiro Tabata
Beneficiário:Américo Sheitiro Tabata
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Auxílios(s) vinculado(s):00/07618-0 - Phase separation suppression in InGaN alloys due to biaxial strain, AR.EXT
Bolsa(s) vinculada(s):03/14062-6 - Efeito de recozimento térmico nas propriedades óticas de pontos quânticos emitindo na faixa espectral de 1,3 a 1,5 micrometros, BP.IC
97/11959-2 - Estudo de propriedades eletro-ópticas no sistemas InGaAs/GaA1As/GAAS elaborado por epitaxia por feixe molecular, BP.JP
Assunto(s):Semicondutores  Dispositivos ópticos  Fotoluminescência 
Publicação FAPESP:http://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_257_197_198.pdf

Resumo

Nos anos oitenta um grande esforço foi feito no Brasil no intuito de implantar no país uma infra-estrutura para o desenvolvimento da área experimental da física de materiais semicondutores. Várias máquinas de crescimento foram adquiridas pelas maiores universidades do país (USP, UNICAMP, UFMG). Agora nos anos noventa essas máquinas estão em estado operacional. Embora tais universidades possuam seus respectivos laboratórios de caracterização, essas máquinas podem ainda crescer um número maior de amostras para laboratórios essencialmente de caracterização. Este plano de pesquisa tem, assim, como objetivo a implementação de um laboratório de caracterização óptica (fotoluminescência de excitação), utilizando para isso uma infra-estrutura já existente no departamento de Física da Universidade Estadual Paulista - Campus Bauru. Recentemente, tal departamento esta em vias de receber uma verba da FAPESP para a instalação de um laboratório de caracterização óptica pela técnica de fotoluminescência, projeto este liderado pelo Prof. J. B. B. de Oliveira. Assim, o que eu venho propor, em acordo com o Prof. Oliveira, é a complementação desse laboratório com a compra de mais alguns equipamentos para a montagem da técnica da espectroscopia de fotoluminescência de excitação (PLE) que dará ao laboratório uma versatilidade ainda maior. De mais importante teremos que adquirir um laser de Titânio-saphira e um monocromador duplo de alta resolução. Quanto à parte científica, analisaremos amostras crescidas por MBE no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Departamento de Física dos Materiais Mecânicos da Universidade de São Paulo. Estaremos de início interessados nas propriedades estruturais de sistemas não dopados no conjunto GaAs/GaAlAs/InGaAs estudando a influência de alguns parâmetros de crescimento na qualidade cristalina de tais amostras. Posteriormente, estudaremos estruturas mais complexas do tipo HEMT (High electron mobility transistor), que são estruturas à modulação de dopagem utilizadas atualmente nos transistores que apresentam o melhor desempenho em termos de mobilidade e por conseqüência em termos de velocidade de operação. O estudo de tais estruturas se justifica tanto pela sua importância tecnológica como também aspecto de fenômenos físicos associados a tais estruturas dopadas. Fenômenos como: O Fermi edge singularity, efeito hall quântico inteiro e fracionário, excitação coletiva do mar de Fermi (shake-up), etc. (AU)

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