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Caracterização óptica de heteroestruturas semicondutoras crescidas por CBE

Resumo

O projeto consiste em montar o laboratório de medidas ópticas, com ênfase em fotoluminescência (PL), e dedicá-lo à caracterização de interfaces de heteroestruturas semicondutoras III-V, crescidas por CBE. As amostras a serem analisadas são múltiplos poços quânticos fabricados com os sistemas InGaAs/GaAs, InGaAs/lnP e InGaP/GaAS. Os parâmetros de crescimento serão variados e controlados sistematicamente, em cada conjunto de amostras. As propriedades das interfaces serão analisadas através da análise da forma de linha da PL, energias das emissões, extrínsecas no poço, etc. Os resultados serão comparados com os obtidos por outras técnicas e relacionados com os procedimentos realizados e então usados para orientar crescimento de novos conjuntos de amostras. (AU)

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