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Investigação das propriedades eletrônicas de poços quânticos com dopagem planar na barreira e de pontos quânticos

Processo: 00/08794-6
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de outubro de 2000 - 30 de setembro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Euzi Conceição Fernandes da Silva
Beneficiário:Euzi Conceição Fernandes da Silva
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Poços quânticos  Fotocondutividade  Pontos quânticos  Fotoluminescência  Dopagem planar 

Resumo

Este projeto de pesquisa, que será desenvolvido junto ao Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do IFUSP, envolve o estudo das propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras (poços quânticos com dopagem planar na barreira e pontos quânticos) crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy), utilizando a técnica de fotoluminescência (PL, Photoluminescence). Apresentaremos, inicialmente, o plano relacionado com a investigação das propriedades dos poços quânticos e, em seguida, o projeto relacionado com o estudo dos pontos quânticos. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DUARTE, C. A.; SILVA, E. C. F. DA; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; MARTINI, S.; LEITE, J. R.; MENESES, E. A.; LAURETO, E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, May 2003.
CAVALHEIRO‚ A.; DA SILVA‚ ECF; TAKAHASHI‚ EK; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR; MENESES‚ EA. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si δ-doped GaAs/In_ {0.15} Ga_ {0.85} As/GaAs quantum well. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 075320, 2002.

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