| Processo: | 00/08794-6 |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Vigência: | 01 de outubro de 2000 - 30 de setembro de 2001 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Euzi Conceição Fernandes da Silva |
| Beneficiário: | Euzi Conceição Fernandes da Silva |
| Instituição-sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Poços quânticos Fotocondutividade Pontos quânticos Fotoluminescência Dopagem planar |
Resumo
Este projeto de pesquisa, que será desenvolvido junto ao Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do IFUSP, envolve o estudo das propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras (poços quânticos com dopagem planar na barreira e pontos quânticos) crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy), utilizando a técnica de fotoluminescência (PL, Photoluminescence). Apresentaremos, inicialmente, o plano relacionado com a investigação das propriedades dos poços quânticos e, em seguida, o projeto relacionado com o estudo dos pontos quânticos. (AU)