| Processo: | 00/09138-5 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de fevereiro de 2001 |
| Data de Término da vigência: | 31 de janeiro de 2004 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos |
| Pesquisador responsável: | Ronaldo Domingues Mansano |
| Beneficiário: | Ronaldo Domingues Mansano |
| Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | São Paulo |
| Assunto(s): | Deposição de filmes finos Filmes finos de carbono tipo diamante (DLC) Deposição química por vapor CVD Pulverização catódica Dielétricos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Carbono Tipo Diamente | Deposicao Por Plasma | Deposicao Quimica | Novos Dieleticos | Sputtering |
Resumo
Neste trabalho estamos desenvolvendo dois sistemas de deposição por plasma de filmes de carbono tipo diamante. O primeiro é um equipamento de sputtering (espirramento catódico) reativo que utiliza um alvo de grafite e gases tipo CH4, CF4, H2 e Ar, para depositar filmes de carbono amorfo hidrogenado e carbono amorfo fluorinado. O segundo sistema é um equipamento de deposição química tipo CVD (Chemical Vapour Deposition), que utiliza plasma de alta densidade. Neste sistema podemos depositar não somente filmes de carbono, como também filmes de nitreto de silício e óxido de silício, porém o objetivo principal são os filmes de carbono tipo diamante. Para a deposição dos filmes de carbono vamos utilizar CH4. CF 4, H2, 02 e estudar a dopagem do filme com N2 e com silício. Os filmes de carbono são bastante interessantes tanto para aplicações em microeletrônica como dielétricos e semicondutores e em outras áreas como material anti-desgaste, material duro, é biocompátivel e pode ser usado como guia de ondas e filtros-ópticos. (AU)
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