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Otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes amorfos de GaAs preparados pela técnica de RF-magnetron-sputterin

Processo: 00/03876-4
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
Vigência: 01 de julho de 2000 - 30 de novembro de 2003
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Johnny Vilcarromero López
Beneficiário:Johnny Vilcarromero López
Instituição-sede: Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento (IP&D). Universidade do Vale do Paraíba (UNIVAP). São José dos Campos , SP, Brasil
Bolsa(s) vinculada(s):03/13055-6 - Análise do efeito da hidrogenação nas propriedades do GaAs amorfo preparado por RF-magnetron sputtering, BP.IC
00/06634-1 - Otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes amorfos de GaAs preparados pela técnica de RF-magnetron sputtering, BP.JP
Assunto(s):Semicondutores (físico-química)  Filmes finos  Espectroscopia Raman  Hidrogênio 
Publicação FAPESP:http://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_246_191_191.pdf

Resumo

O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal a otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes finos de arseneto de gálio amorfo (a-GaAs), preparados pela técnica de RF-magnetron sputtering em baixas temperaturas (abaixo de 500 C). O estudo das propriedades deste material envolve seus estados de defeitos, sua estrutura, e suas constantes optoeletrônicas e termomecânicas. Os estados de defeitos serão estudados medindo-se a absorção óptica a energias menores que o gap, utilizando-se a técnica de PDS. Um equipamento de PDS será montado para este fim. As propriedades estruturais serão abordadas principalmente através de medidas de micro-Raman. Também serão usadas a espectroscopia de infravermelho e a difração de raios-X. No que se refere às propriedades termomecânicas, será estudado o stress, o coeficiente de dilatação térmica e o biaxal modulus dos filmes. Dentro do contexto da otimização do processo de síntese do arseneto de gálio será utilizada uma constante avaliação entre as condições de preparação empregadas no crescimento destes filmes e as suas propriedades estudadas, principalmente com o intuito de obter filmes com a menor densidade de defeitos (ligações distorcidas, ligações pendentes, voids). Será também estudada a influência do hidrogênio preparando-se amostras com e sem este elemento. (AU)