Modelagem teórica de estados ionizados em sistemas complexos de silício
- Auxílios pontuais (curta duração)
| Processo: | 00/11438-7 |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores |
| Vigência: | 01 de abril de 2001 - 31 de março de 2005 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Joao Francisco Justo Filho |
| Beneficiário: | Joao Francisco Justo Filho |
| Instituição-sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 01/02646-8 - Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras, BP.JP |
| Assunto(s): | Silício Semicondutores Dispositivos ópticos Materiais amorfos Métodos ab initio Propriedades eletrônicas |
| Publicação FAPESP: | http://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_244_190_190.pdf |
Resumo
Este projeto tem por objetivo criar um núcleo de estudos teóricos de materiais semicondutores no grupo de novos materiais do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP. Utilizando o estado da arte em simulações computacionais, seja por meio de métodos de primeiros princípios ou potenciais empíricos, serão investigadas propriedades eletrônicas e estruturais de materiais semicondutores (nas fases cristalina, policristalina ou amorfa), que são geralmente utilizados na fabricação de dispositivos optoeletrônicos. Pretende-se investigar as propriedades microscópicas relacionadas com o ordenamento químico, transições ópticas e segregação de defeitos em diversos materiais semicondutores, como o silício amorfo hidrogenado, o nitreto de silício amorfo, o carbeto de silício e o nitreto de boro. (AU)