Busca avançada
Ano de início
Entree

Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras

Processo: 00/11438-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
Vigência: 01 de abril de 2001 - 31 de março de 2005
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Joao Francisco Justo Filho
Beneficiário:Joao Francisco Justo Filho
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Bolsa(s) vinculada(s):01/02646-8 - Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras, BP.JP
Assunto(s):Silício  Semicondutores  Dispositivos ópticos  Materiais amorfos  Métodos ab initio  Propriedades eletrônicas 
Publicação FAPESP:http://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_244_190_190.pdf

Resumo

Este projeto tem por objetivo criar um núcleo de estudos teóricos de materiais semicondutores no grupo de novos materiais do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP. Utilizando o estado da arte em simulações computacionais, seja por meio de métodos de primeiros princípios ou potenciais empíricos, serão investigadas propriedades eletrônicas e estruturais de materiais semicondutores (nas fases cristalina, policristalina ou amorfa), que são geralmente utilizados na fabricação de dispositivos optoeletrônicos. Pretende-se investigar as propriedades microscópicas relacionadas com o ordenamento químico, transições ópticas e segregação de defeitos em diversos materiais semicondutores, como o silício amorfo hidrogenado, o nitreto de silício amorfo, o carbeto de silício e o nitreto de boro. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
JUSTO‚ J.F.; ASSALI‚ L.V.C. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.