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Caracterização elétrica de novos transistores SOI em função da temperatura

Processo: 00/09568-0
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de novembro de 2000 - 30 de abril de 2002
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Dispositivos eletrônicos  Transistores  Semicondutores  Silício 

Resumo

Este projeto tem como finalidade a simulação e caracterização elétrica em função da temperatura de novos transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementados em lâminas de silício sobre isolante (SOI-MOSFET). Estes transistores foram inicialmente desenvolvidos em tese de doutorado por nós orientados, a qual foi fomentada pela FAPESP, e que apresentou resultados altamente interessantes como a redução no efeito bipolar parasitário face ao transistor sal convencional, característica esta muito conveniente para aplicação em amplificadores analógicos integrados. Com base nos resultados obtidos nas etapas de simulação e caracterização elétrica, modelos analíticos poderão ser desenvolvidos com o intuito de permitir a identificação das componentes físicas mais importantes na ocorrência de tais efeitos parasitas, interligando-as com as etapas de processo, bem como a incorporação dos mesmos a simuladores analíticos de circuitos, o que facilitará o estudo da utilização destes novos transistores em circuitos eletrônicos mais complexos. (AU)