Auxílio à pesquisa 05/02895-9 - Semicondutores, Spintrônica - BV FAPESP
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Askhat Bakarov | Institute of Semiconductors Physics/Russian Academy - Rússia

Processo: 05/02895-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gennady Gusev
Beneficiário:Gennady Gusev
Pesquisador visitante: Askhat Bakarov
Instituição do Pesquisador Visitante: Russian Academy of Sciences (RAS), Rússia
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Spintrônica  Desenvolvimento de novos materiais  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Semicondutores | Spintronica | Semicondutores

Resumo

A visita do Dr. Askhat Bakarov será muito útil para continuarmos uma colaboração a longo prazo entre Novosibirsk e os diferentes grupos dedicados ao estudo dos sistemas nanostruturados no Brasil. Entre estes grupos está o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP), também grupos teóricos e experimentais da Universidade Federal de São Carlos, do Instituto de Física de São Carlos-USP e muitos outros. Como membro do LNMS do IFUSP, tenho desenvolvido vários projetos importantes, entre os quais o internacional USP-COFECUB. O objetivo geral do projeto é estudar e otimizar o crescimento de nanoestruturas semicondutoras para aplicações em spintrônica. Estamos propondo pesquisar esses efeitos em poços quânticos de Aly Gay-1As/AlxGax-1As. Nossa pesquisa aponta na direção de uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no spin. A discussão dos problemas físicos e tecnológicos relacionados à fabricação de tais sistemas no IFUSP e nos outros laboratórios e as medidas que serão realizadas no LNMS-IFUSP, poderão acelerar o desenvolvimento da spintrônica no Brasil. (AU)

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