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Estudo de materiais: propriedades eletrônicas e estruturais

Processo: 98/16536-5
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de maio de 1999 - 30 de abril de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Silício  Nitreto de silício  Átomos  Estrutura eletrônica  Semicondutores  Sistemas desordenados  Método de Monte Carlo 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Estrutura Eletronica | Propriedades Estruturais | Semicondutores

Resumo

Através de desenvolvimento de simulação semi-empírico, estudaremos sistemas desordenados Si/a-Si3N4, difusão de átomos em superfícies e estrutura tubular de Si. (AU)

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