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David Comedi | McMaster University - Canadá

Processo: 92/05192-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Vigência: 20 de julho de 1993 - 28 de fevereiro de 1994
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Ivan Emilio Chambouleyron
Beneficiário:Ivan Emilio Chambouleyron
Pesquisador visitante: David Comedi
Inst. do pesquisador visitante: McMaster University, Canadá
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos  Germânio  Silício  Semicondutores amorfos  Intercâmbio de pesquisadores 

Resumo

Durante a visita de um ano o Dr. Comedi participará ativamente no processo de instalação do equipamento de "íon assited beam deposition", em fase de importação pela FAPESP (processo nº 91/3635-6). Especificamente o Dr. Comedi contribuirá no estudo e fabricação de ligas amorfas de a-Si;H, a-Ge:H, e a-Si:Ge;H pelo método supra. A caracterização das amostras inclui o estudo por espectroscopia de fotoelétrons ultravioleta (UPS). As pesquisas incluem também a fabricação e caracterização de interfaces entre as diversas ligas semicondutoras amorfas apontadas. (AU)