Auxílio à pesquisa 92/04891-9 - Detecção de falhas, Baixa temperatura - BV FAPESP
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Richard Louis Anderson | University of Vermont - Estados Unidos

Processo: 92/04891-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 20 de agosto de 1993
Data de Término da vigência: 10 de setembro de 1993
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Carlos Ignacio Zamitti Mammana
Beneficiário:Carlos Ignacio Zamitti Mammana
Pesquisador visitante: Richard Louis Anderson
Instituição do Pesquisador Visitante: University of Vermont (UVM), Estados Unidos
Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Detecção de falhas  Baixa temperatura  Semicondutores  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Analise De Falhas | Baixas Temperaturas | Dispositivos Semicondutores

Resumo

Pesquisa em dispositivos semicondutores, tais cano diodos, capacitores, transistores bipolares, MOS e MESFETs em silício, GaAs e outros materiais semicondutores, para operação a temperaturas até 13 K. Em temperaturas baixas a maior mobilidade dos portadores permite ampliar a faixa nas altas frequências e obter chaveamento mais rápido, sendo reduzido o ruído térmico e minimizada a potência consumida. O estudo do comportamento em baixas temperaturas contribui também para a compreensão dos mecanismos de falhas em circuitos integrados, de grande interesse para o Instituto de Microeletrônica. Serão, também estudadas dispositivos MOS de silício monocristalino com porta de óxidos metálicos semicondutores, em continuação a projeto de cooperação anterior, entre o IM/CTI, a UNICAMP e a UVM, especialmente a pesquisa da interface entre esses óxidos e o silício. (AU)

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