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Akira J. Ikushima | Toyota Technological Institute - Japão

Processo: 01/03237-4
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Vigência: 26 de julho de 2001 - 02 de agosto de 2001
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
Pesquisador responsável:Carlos Kenichi Suzuki
Beneficiário:Carlos Kenichi Suzuki
Pesquisador visitante: Akira J. Ikushima
Inst. do pesquisador visitante: Toyota Technological Institute (TTI), Japão
Instituição-sede: Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Radiação síncrotron  Monocristais  Deposição axial na fase vapor  Intercâmbio de pesquisadores 

Resumo

O desenvolvimento de preformas de sílica-germânia para fibras ópticas pela tecnologia VAD ("vapor-phase axial deposition") foi recentemente realizado no LIQC/UNICAMP. Atualmente, este grupo está atuando no desenvolvimento de novas propriedades em termos de menor atenuação e maior capacidade de transmissão, e em especial para a geração do segundo harmônico-GSH (efeito não-linear) em preformas de sílica-germânia. Por outro lado, o visitante, Prof. Akira Ikushima é o pioneiro no efeito GHS induzido por processo de "poling" assistido por luz ultravioleta em preformas vítreas de SiO2:GeO2 preparadas pelo método VAD. A interação com o Prof. Ikushima através desta visita poderá trazer grandes benefícios para o desenvolvimento de dispositivos fotônicos no país. O Prof. Ikushima deverá conduzir seminários e palestras, orientar diversas teses de pós-graduação e projetos de pós-doutorado, e interagir com vários outros grupos de pesquisa na UNICAMP e em outras instituições. (AU)