Dmitri Lubyshev | Institute Semiconductor Physics - União Soviética

• Processo: 94/01042-6
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Vigência: 18 de novembro de 1994 - 17 de maio de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Pierre Basmaji
• Beneficiário: Pierre Basmaji
• Pesquisador visitante: Dmitri Lubyshev
• Inst. do pesquisador visitante: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia
• Instituição-sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 92/03559-0 - Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras, AP.TEM
• Assunto(s): Fotoluminescência Semicondutores Epitaxia por feixe molecular Intercâmbio de pesquisadores

Resumo

Crescimento epitaxial de estruturas semicondutoras InGaAs e AlGaAs sobre substrato de GaAs orientado (311) A e B. Este tipo de crescimento tem sido atraído grande interesse por causa de sua importância na aplicação de moduladores ópticos e dispositivos. Neste trabalho propomos crescer e estudar as propriedades ópticas e elétricas de poços quânticos InGaAs/GaAs (311) em vista de determinar os efeitos da desordem na liga e os defeitos estruturais ligados ao exciton. Também estudar as mudanças provocadas pela tensão interna existente nas diferentes camadas da amostra. Além disso, será estudado o aparecimento de efeito piezoelétricos quando a estrutura é crescida na direção (311) ou (111). (AU)