| Processo: | 94/01042-6 |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Vigência: | 18 de novembro de 1994 - 17 de maio de 1995 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Pierre Basmaji |
| Beneficiário: | Pierre Basmaji |
| Pesquisador visitante: | Dmitri Lubyshev |
| Inst. do pesquisador visitante: | Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia |
| Instituição-sede: | Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 92/03559-0 - Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras, AP.TEM |
| Assunto(s): | Fotoluminescência Semicondutores Epitaxia por feixe molecular Intercâmbio de pesquisadores |
Resumo
Crescimento epitaxial de estruturas semicondutoras InGaAs e AlGaAs sobre substrato de GaAs orientado (311) A e B. Este tipo de crescimento tem sido atraído grande interesse por causa de sua importância na aplicação de moduladores ópticos e dispositivos. Neste trabalho propomos crescer e estudar as propriedades ópticas e elétricas de poços quânticos InGaAs/GaAs (311) em vista de determinar os efeitos da desordem na liga e os defeitos estruturais ligados ao exciton. Também estudar as mudanças provocadas pela tensão interna existente nas diferentes camadas da amostra. Além disso, será estudado o aparecimento de efeito piezoelétricos quando a estrutura é crescida na direção (311) ou (111). (AU)