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Dmitri Lubyshev | Institute Semiconductor Physics - União Soviética

Resumo

Crescimento epitaxial de estruturas semicondutoras InGaAs e AlGaAs sobre substrato de GaAs orientado (311) A e B. Este tipo de crescimento tem sido atraído grande interesse por causa de sua importância na aplicação de moduladores ópticos e dispositivos. Neste trabalho propomos crescer e estudar as propriedades ópticas e elétricas de poços quânticos InGaAs/GaAs (311) em vista de determinar os efeitos da desordem na liga e os defeitos estruturais ligados ao exciton. Também estudar as mudanças provocadas pela tensão interna existente nas diferentes camadas da amostra. Além disso, será estudado o aparecimento de efeito piezoelétricos quando a estrutura é crescida na direção (311) ou (111). (AU)