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Jürgen Furthmüller | Inst. Física Teórica Universidade Friedrich-Schiller Jena - Alemanha

Processo: 07/04279-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Vigência: 23 de setembro de 2007 - 20 de outubro de 2007
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marcelo Marques
Beneficiário:Marcelo Marques
Pesquisador visitante: Jürgen Furthmüller
Inst. do pesquisador visitante: Friedrich Schiller University Jena, Alemanha
Instituição Sede: Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Spintrônica  Métodos ab initio  Intercâmbio de pesquisadores  Colaboração científica 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Calculo Ab Initio | Ligas Semicondutoras | Semicondutores | Spintronica | Física de Semicondutores e Computacional

Resumo

O plano de trabalho será executado em duas etapas. Na primeira, durante o período de 23 de setembro a 6 de outubro de 2006 o Prof. Dr. Jürgen Furthmüller estará no grupo teórico GMSN do ITA desenvolvendo as seguintes atividades: 1. Mini-curso sobre o programa VASP; 2. Otimização do código VASP nas máquinas do grupo GMSN do ITA; 3. Discussão dos resultados já obtidos relacionados aos seguintes sistemas com aplicações em spintrônica: (i) Ligas de semicondutores magnéticos e sistemas relacionados: AlMnN, MnGaN e MnGaAs, (ii) Heteroestrutura digital semicondutora magnética - InN/(InMnN), e (iii) influência da tensão biaxial em ambos sistemas acima descritos; 4. Discussão dos cálculos em andamento relacionados aos seguintes sistemas com aplicações em spintrônica: (i) Dupla dopagem de íons magnéticos nos semicondutores GaN e ZnO, (ii)liga AlCrN; 5. Discussão dos cálculos em andamento relacionados às ligas semicondutoras com aplicações em optoeletrônica: (i) Ligas quaternárias InGaAsN, AlGaAsN e GaNAsBi e suas ternárias e (ii) ligas de nitretos do grupo III na estrutura wurtzita, AlGaN -determinação da variação do crystal field splitting com a composição da liga. Já na segunda etapa, durante o período de 7 ao dia 21 de outubro de 2006 o Prof. Dr. Jürgen Furthmüller estará no grupo teórico do LNMS do IFUSP do dia com as seguintes atividades programadas: 1. Extensão dos estudos feitos, até agora, aos óxidos semicondutores, especificamente o TiO2 e o SnO2 dopados com metais de transição; 2. Iniciar o estudo de compostos semicondutores do tipo IV-VI, especificamente, o PbTe ea liga PbEuTe, sistemas que envolvem elementos com camada f gap; do semicondutor, que é subestimado em virtude da aproximação LDA. (AU)

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