Askhat Bakarov | Russian Academy of Sciences - Rússia

• Processo: 08/09213-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Pesquisador visitante: Askhat Bakarov
• Instituição do Pesquisador Visitante: Russian Academy of Sciences (RAS), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Desenvolvimento de novos materiais Poços quânticos Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanoestruturas | Novos Dispositivos | Pocos Quanticos | Novos materiais semicondutores

Resumo

A visita do Dr. A.K. Bakarov será muito útil para continuarmos a colaboração de longo prazo, entre Novosibirsk e os diferentes grupos dedicados ao estudo dos sistemas nanoestruturados no Brasil. Entre estes grupos estão o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP), também grupos teóricos e experimentais da Universidade Federal de São Carlos, do Instituto de Física de São Carlos-USP e muitos outros. Como líder do LNMS do IFUSP, tenho desenvolvido vários projetos importantes, entre os quais o internacional USP-COFECUB. O objetivo geral do projeto é estudar de nanoestruturas semicondutoras para desenho de novos dispositivos quânticos. Durante sua ultima visita (Processo FAPESP nº: 2005/03998-6) Dr. A.K.Bakarov realizou crescimento mais de 30 amostras. O uso efetivo de super-redes de GaAs/AlGaAs de período curto em lugar de uma simples barreira de AlGaAs foi escolhido para aumentar a mobilidade em amostras de poços quânticos simples e duplos de GaAs. A mobilidade a baixa temperatura para elétrons nessas estruturas é alta da ordem de 1.2000.000cm2/ (V.s). Vários trabalhos já foram publicados e submetidos (entre deles 1 Physical Review Letters e 6 Physical Review B) envolvendo o uso destas amostras [Ref.1-7], e vários trabalhos estão em fase de preparação. Estamos propondo o crescimento de novas estruturas semicondutoras incluindo poços duplos e triplos com gás bidimensional de alta mobilidade. O foco principal desta proposta será a otimização das condições de crescimento de tal material com o intuito de aumentar a mobilidade dos elétrons e de amplificar os efeitos quânticos. Nossa pesquisa aponta na direção de uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados na mecânica quântica. A discussão dos problemas físicos e tecnológicos relacionados à fabricação de tais sistemas no IFUSP e nos outros laboratórios e as medidas que serão realizadas no LNMS-IFUSP, poderão acelerar o desenvolvimento da nanoeletronica no Brasil. (AU)