Uso de radiação síncrotron no estudo do crescimento de filmes finos e nanoestruturas de nitretos de al e in produzidos por deposição de monocamadas atômicas (ALD)

• Processo: 10/18548-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
• Vigência: 01 de março de 2011 - 30 de novembro de 2011
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Harry Westfahl Junior
• Beneficiário: Harry Westfahl Junior
• Pesquisador visitante: Sukarno Olavo Ferreira
• Inst. do pesquisador visitante: Universidade Federal de Viçosa (UFV). Centro de Ciências Exatas e Tecnológicas, Brasil
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 09/09027-3 - Estudo do crescimento, cristalização e estrutura da superfície em filmes finos, multicamadas e nanoestruturas formadas pelo método de deposição de monocamadas atômicas, AP.JP
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Atomic Layer Deposition | Difração e espalhamento de raios-x | Estudo de superfícies | interfaces e filmes finos | Crescimento de cristais

Resumo

Este projeto tem como objetivo o estudo da dinâmica de crescimento e das propriedades estruturais de filmes finos e nanoestruturas de AlN, InN e AlInN crescidas pelo método de deposição de monocamadas atômicas (Atomic Layer Deposition - ALD). Esta técnica, que tem sofrido forte crescimento na última década, está sendo implantada no Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) através de um projeto Jovem Pesquisador - FAPESP. Pretende-se utilizar técnicas de difração e espectroscopias de raios-x produzidos pela fonte síncrotron na investigação das condições para as quais os materiais formados possam ser integrados epitaxialmente - guardando um registro da rede cristalina hospedeira - aos substratos em que são crescidos. O projeto inclui a modificação do reator atual, que trabalha com precursores líquidos, para a deposição de nitretos semicondutores, utilizando amônia como precursor fonte de nitrogênio. Tais modificações terão impacto direto na adaptação do sistema de crescimento para operação in-situ, visando a utilização das técnicas disponíveis nas linhas de difração e absorção de raios-x do LNLS para caracterização das etapas de crescimento e cristalização de filmes finos e nanopartículas produzidas. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

SILES, PABLO F.; DE PAULI, MURIEL; BOF BUFON, CARLOS CESAR; FERREIRA, SUKARNO O.; BETTINI, JEFFERSON; SCHMIDT, OLIVER G.; MALACHIAS, ANGELO. Tuning resistive switching on single-pulse doped multilayer memristors. Nanotechnology, v. 24, n. 3, JAN 25 2013. (09/09027-3, 10/18548-4)