Método LDA-1/2 aplicado à obtenção de propriedades físicas de materiais semicondutores e nanocompostos

• Processo: 11/10799-0
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Vigência: 15 de agosto de 2011 - 16 de setembro de 2011
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lara Kühl Teles
• Beneficiário: Lara Kühl Teles
• Pesquisador visitante: Jürgen Furthmüller
• Inst. do pesquisador visitante: Friedrich Schiller University Jena, Alemanha
• Instituição-sede: Divisão de Ciências Fundamentais (IEF). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 06/05858-0 - Estudo teórico de ligas semicondutoras com aplicações em spintrônica e optoeletrônica, AP.JP
• Assunto(s): Semicondutores Pontos quânticos Métodos ab initio Nanocompostos Impureza magnética Intercâmbio de pesquisadores

Resumo

O plano de trabalho será executado desenvolvendo as seguintes atividades: 1. Otimização do código VASP nas máquinas do grupo GMSN do ITA; 2. Mini-curso sobre o programa VASP com ênfase em cálculos utilizando novos funcionais e métodos para correção do gap; 3. Validação do método LDA-1/2 para diversos sistemas; 4. Discussão dos resultados já obtidos para as propriedades eletrônicas, termodinâmicas, estruturais de ligas envolvendo óxidos, tais como MgZnO e CdZnO; 5. Discussão dos resultados já obtidos para sistemas com aplicações em spintrônica: (i) Ligas de semicondutores magnéticos e sistemas relacionados - influência da correção do gap, (ii) heteroestrutura digital semicondutora magnética; 6. Discussão dos cálculos em andamento relacionados aos seguintes sistemas nanoestruturados: (i) fios quânticos e (ii) pontos quânticos; 7. Começar um estudo para correlacionar a teoria desenvolvida para o método LDA-1/2 com a teoria de outros métodos, tais como GW, funcionais híbridos, etc. (AU)