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Universalidade das propriedades termoelétricas de transporte através de nanoestruturas semicondutoras

Resumo

Estamos interessados em obter relações universais que descrevam as propriedades termoelétricas das nanoestruturas semicondutoras, isto é, que descrevam o comportamento com a temperatura da condutância térmica e do poder termoelétrico. Mais especificamente, queremos avançar teoricamente rumo ao acordo quantitativo com os resultados experimentais. Para que isso seja possível, será necessário explorar a universalidade das propriedades físicas dos dispositivos semicondutores nanoestruturados a baixas temperaturas. É relativamente fácil argumentar-se que as propriedades devem ser universais no regime Kondo. Na prática, porém, as relações universais não são óbvias. Em particular, no caso da condutância elétrica, quinze anos se passaram entre a primeira identificação de uma curva que se mostrou universal em um regime restrito e a demonstração de que a dependência térmica da condutância pode ser mapeada naquela curva. O propósito deste plano é estender este último resultado para as demais propriedades termoelétricas de transporte. Para isso, empregaremos ferramentas analíticas da teoria do grupo de renormalização e comparararemos os resultados com cálculos de grupo de renormalização numérico. (AU)