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Estudo das propriedades ópticas e de transporte em heteroestruturas de tunelamento ressonante

Processo: 03/11062-5
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Programa Primeiros Projetos
Vigência: 01 de julho de 2004 - 31 de outubro de 2005
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: CNPq - Programa Primeiros Projetos
Pesquisador responsável:Ihosvany Camps Rodríguez
Beneficiário:Ihosvany Camps Rodríguez
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado à bolsa:02/08572-9 - Estudo teórico das propriedades ópticas e de transporte em heteroestruturas de tunelamento ressonante, BP.PD
Assunto(s):Spin  Campo magnético  Fotoluminescência  Semicondutores  Polarização de spin 

Resumo

O objetivo central do projeto é o estudo e a modelagem dos efeitos do campo magnético e da iluminação nas propriedades de transporte em heterostruturas de tunelamento ressonante. Em pesquisas recentes desenvolvidas no Grupo de Semicondutores do Departamento de Física da UFSCar, têm se encontrado que diodos de tunelamento ressonante baseados no sistema III-V apresentam modificações nas suas propriedades ópticas e de transporte na presença de campos magnéticos e luz. Para uma melhor compreensão dos mecanismos envolvidos nos fenômenos anteriores, propomos fazer simulações numéricas e um estudo sistemático das modificações encontradas, entre elas: variações na característica corrente-voltagem tais como o aparecimento de um novo canal de tunelamento quando iluminadas as amostras com altas potências; do comportamento anômalo da fotoluminescência do poço com o aumento da temperatura; aparecimento de picos na fotocorrente na presença de campo magnético e variações na polarização dos espectros de fotoluminescência com variações do campo elétrico, aplicado. (AU)