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Fabricação de dispositivos baseados em nanofitas de SnO2 e In2O3 puras e dopadas

Processo: 06/60296-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Programa Primeiros Projetos
Vigência: 01 de junho de 2007 - 31 de agosto de 2008
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Convênio/Acordo: CNPq - Programa Primeiros Projetos
Pesquisador responsável:Alexandre José de Castro Lanfredi
Beneficiário:Alexandre José de Castro Lanfredi
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Dispositivos eletrônicos  Nanofitas  Dióxido de estanho  Índio (elemento químico)  Sensores 

Resumo

Nesse projeto de pesquisa, pretende-se estudar algumas propriedades físicas de sistemas eletrônicos de baixa dimensionalidade baseados em nanofitas de óxidos de estanho e de índio puros e dopados. Dentre as propriedades físicas, os mecanismos de condução e os processos de espalhamento de portadores nestes sistemas poderão ser obtidos usando experimentos de transporte, apoiados por experimentos ópticos e de caracterização estrutural. Pretende-se investigar também, a influência da desordem estrutural nos processos de transporte, com o objetivo de procurar subsídios para o entendimento dos processos físicos envolvidos e para possíveis aplicações destas estruturas em dispositivos eletrônicos e opto-eletrônicos. Um dos pontos chave das investigações propostas neste projeto é o estudo do regime de transporte apresentado pelas nanofitas e suas ligações com a dimensionalidade das estruturas. Com isso, espera-se contribuir para o processo de obtenção das amostras voltado para a produção de dispositivos eletrônicos como transistores e sensores de gás e ópticos. (AU)