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Transporte eletrônica em siliceno

Processo: 12/19511-2
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Vigência: 26 de março de 2013 - 13 de junho de 2013
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Hai Guoqiang
Beneficiário:Hai Guoqiang
Pesquisador visitante: Panagiotis Vasilopoulos
Inst. do pesquisador visitante: Concordia University, Canadá
Instituição-sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Efeito Hall quântico  Estrutura eletrônica  Grafenos  Nanopartículas  Semicondutores  Condução eletrônica  Tunelamento quântico 

Resumo

Muito recentemente, uma única camada bi-dimensionalde átomos de Silício (o siliceno), que produz uma rede hexagonal do tipo favo de abelha, foi criada em laboratório. As propriedades eletrônicas deste novo material são muito similares à do grapheno, exceto pelo fato da existência de um gap de energia natural no ponto de Dirac devido a uma forte interação spin-órbita. Esta diferença está fundamentada na hibridização da ligação entre os átomos de silício. Claro está que estas propriedades abrem uma nova perspectiva na aplicação deste material, sobretudo devido à sua completa compatibilidade com aqueles dispositivos eletrônicos baseados no Silício. De fato, os trabalhos sobre o siliceno estão ainda em uma fase muito inicial. Desta forma, é de fundamental importância que a pesquisa e o entendimento deste material se dêem de maneira célere. A colaboração com o visitante, com quem já começamos a discussão destes estudos, servirá como incremento para os nossos cálculos que deverão ser submetidos às revistas especializadas. (AU)