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O efeito Hall de spin em semicondutores

Processo: 13/03450-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de junho de 2013 - 31 de maio de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Beneficiário:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Poços quânticos  Spintrônica  Semicondutores  Efeito Hall quântico 

Resumo

A produção de correntes de spin com a aplicação de campos elétricos é um tema de intensa investigação atualmente dentro da área da microeletrônica chamada spintrônica - uma nova e muito promissora linha de pesquisa que pode levar a importantes aplicações práticas. O efeito Hall de spin é um método efetivo para controlar a condução de uma corrente de spin num dispositivo eletrônico utilizando o acoplamento spin-órbita. Neste projeto é proposto o estudo do efeito Hall de spin em poços quânticos de GaAs e InAs dopados com elétrons e buracos. O foco principal desta proposta é a otimização da geometria da estrutura com o objetivo de aumentar a interação spin-órbita com a análise dos efeitos em semicondutores não magnéticos. Este objetivo será alcançado através da realização de medidas de efeito de Kerr com resolução temporal e de transporte. (AU)

Publicações científicas (10)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
KAWAHALA, N. M.; MORAES, F. C. D.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; HERNANDEZ, F. G. G. Experimental analysis of the spin-orbit coupling dependence on the drift velocity of a spin packet. AIP ADVANCES, v. 10, n. 6 JUN 1 2020. Citações Web of Science: 0.
ULLAH, S.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; HERNANDEZ, F. G. G. Tailoring multilayer quantum wells for spin devices. PRAMANA-JOURNAL OF PHYSICS, v. 91, n. 3 SEP 2018. Citações Web of Science: 0.
ULLAH, S.; MORAES, F. C. D.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; HERNANDEZ, F. G. G. Robustness of spin polarization against temperature in multilayer structure: Triple quantum well. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 21 JUN 7 2018. Citações Web of Science: 0.
LUENGO-KOVAC, M.; MORAES, F. C. D.; FERREIRA, G. J.; RIBEIRO, A. S. L.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; SIH, V.; HERNANDEZ, F. G. G. Gate control of the spin mobility through the modification of the spin-orbit interaction in two-dimensional systems. Physical Review B, v. 95, n. 24 JUN 30 2017. Citações Web of Science: 3.
ULLAH, S.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; HERNANDEZ, F. G. G. Large anisotropic spin relaxation time of exciton bound to donor states in triple quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 121, n. 20 MAY 28 2017. Citações Web of Science: 3.
HERNANDEZ, F. G. G.; ULLAH, S.; FERREIRA, G. J.; KAWAHALA, N. M.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K. Macroscopic transverse drift of long current-induced spin coherence in two-dimensional electron gases. Physical Review B, v. 94, n. 4 JUL 14 2016. Citações Web of Science: 6.
ULLAH, S.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; HERNANDEZ, F. G. G. Long-lived nanosecond spin coherence in high-mobility 2DEGs confined in double and triple quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 21 JUN 7 2016. Citações Web of Science: 8.
ALTMANN, P.; HERNANDEZ, F. G. G.; FERREIRA, G. J.; KOHDA, M.; REICHL, C.; WEGSCHEIDER, W.; SALIS, G. Current-Controlled Spin Precession of Quasistationary Electrons in a Cubic Spin-Orbit Field. Physical Review Letters, v. 116, n. 19 MAY 9 2016. Citações Web of Science: 12.
HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K. Resonant optical control of the electrically induced spin polarization by periodic excitation. Physical Review B, v. 90, n. 4 JUL 14 2014. Citações Web of Science: 7.
HERNANDEZ, F. G. G.; NUNES, L. M.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 88, n. 16 OCT 29 2013. Citações Web of Science: 19.

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