Auxílio à pesquisa 13/01840-2 - Fotoluminescência, Nanofios - BV FAPESP
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Dinâmica de portadores e confinamento quântico em sistemas eletrônicos multicomponentes formados em nanofios heteroestruturadas e em camadas semicondutoras múltiplas

Processo: 13/01840-2
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Iouri Poussep
Beneficiário:Iouri Poussep
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Pesquisadores associados:Francisco Eduardo Gontijo Guimaraes
Assunto(s):Fotoluminescência  Nanofios  Semicondutores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:fotoluminexcência | Magneto-transporte | nano-fios | semicondutores | Física de sistemas de baixa dimensionalidade

Resumo

Os sistemas eletrônicos multicomponentes formados em heteroestruturas semicondutoras unidimensionais (nanofios) e tridimensionais (poços quânticos múltiplos) serão investigados. Utilizando medidas de magneto-fotoluminescência resolvida em tempo, planejamos estudar a formação de estados eletrônicos nas bandas de condução e de valência em vários tipos de fios quânticos compostos de heteroestruturas semicondutoras multicamadas GaAs/AlGaAs e InAs/InGaAs crescidas por epitaxia de feixes moleculares. Além disso, os efeitos de interação entre elétrons na banda de condução e entre os elétrons na banda de condução e buracos na banda de valência serão investigados em poços quânticos múltiplos baseados em heteroestruturas de GaAs/AlGaAs. A interação entre os elétrons influencia profundamente a distribuição espacial de carga em sistemas eletrônicos multicomponentes enquanto, o campo magnético apresenta uma perturbação externa que influencia a distribuição de elétrons. O tempo de recombinação entre os elétrons e os buracos fotoexcitados depende fundamentalmente da localização espacial deles e assim, a fotoluminescência resolvida em tempo apresenta-se como um método direto para estudar distribuição de portadores fotoexcitados em heterosistemas semicondutores. (AU)

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