1) theoretical study of selected complex defects in gaas. 2) native defects in e-bn.

• Processo: 97/03426-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 21 de julho de 1997
• Data de Término da vigência: 25 de julho de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Defeitos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Niveis Profundos | Semicondutores